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本发明公开了一种沟槽型MOSFET及其制备方法，所述MOSFET包括：第一栅极多晶层与栅极沟槽之间间隔生长有第一栅极氧化层，第二栅极多晶层与栅极沟槽之间间隔生长有第二栅极氧化层；第一栅极氧化层的厚度大于所述第二栅极氧化层的厚度；所述方法包括...
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