一种碳化硅二极管的制备方法及碳化硅二极管技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅二极管的制备方法及由该制备方法制成的碳化硅二极管，该碳化硅二极管包括一碳化硅衬底(11)、一碳化硅外延层(12)、一图形化的场板介质层(16b)、一图形化的肖特基接触电极(17b)和一欧姆接触电极层(18)；碳化硅外延层(12)设置于碳化硅衬底(11)的正面；在碳化硅外延层(12)内且沿着碳化硅外延层(12)的上表面设置有图形化的离子注入区(15)；碳化硅外延层(12)的上表面设置有图形化的场板介质层(16b)，且碳化硅外延层(12)的上表面未图形化的场板介质层(16b)覆盖的区域设置有图形化的肖特基接触电极(17b)；图形化的场板介质层(16b)的上表面的部分区域被图形化的肖特基接触电极(17b)覆盖，其余区域裸露；欧姆接触电极层(18)设置于碳化硅衬底(11)的背面。

A Fabrication Method of Silicon Carbide Diode and Silicon Carbide Diode

The invention discloses a preparation method of silicon carbide diode and a silicon carbide diode made by the preparation method. The silicon carbide diode comprises a silicon carbide substrate (11), a silicon carbide epitaxy layer (12), a graphical field plate dielectric layer (16b), a graphical Schottky contact electrode (17b) and an ohmic contact electrode layer (18), and a silicon carbide epitaxy layer (12) arranged on a silicon carbide substrate (1). A graphical ion implantation zone (15) is arranged in the silicon carbide epitaxy layer (12) and along the upper surface of the silicon carbide epitaxy layer (12); a graphical field plate dielectric layer (16b) is arranged on the upper surface of the silicon carbide epitaxy layer (12), and a graphical Schottky contact electrode (17b) is arranged in the area covered by the non-graphical field plate dielectric layer (16b) on the upper surface of the silicon carbide epitaxy layer (12); The upper surface of the field plate dielectric layer (16b) is covered by a graphical Schottky contact electrode (17b), while the rest is exposed; the ohmic contact electrode layer (18) is located on the back of the silicon carbide substrate (11).

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅二极管的制备方法及碳化硅二极管
本专利技术属于半导体器件
，尤其是涉及一种碳化硅二极管的制备方法及由该制备方法制成的碳化硅二极管。
技术介绍
碳化硅材料具有宽带隙，高击穿场强，高热导率，高饱和电子迁移速率，以及极好的物理化学稳定性等特性，适于在高温、高频、大功率和极端环境下工作。碳化硅二极管包括单极型器件和双极型器件两大类，单极型器件指的是在工作状态下只有一种载流子导电的器件，如肖特基二极管和结势垒肖特基二极管；双极型器件指的是在工作状态下有两种载流子导电的器件，如PiN二极管。单极型器件开启电压小，但是制备高压器件时，漂移层厚度随之增加，导致通态电阻增大，器件通态损耗较大；双极型器件具有少子的电导调制效应可以降低通态电阻，但是由于碳化硅的PN结自建电势差较大，开启电压高达3V，同样导致了较大的通态损耗。应用中，碳化硅二极管的浪涌电流、雪崩电流耐量有待提高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种碳化硅二极管的制备方法及由该制备方法制成的碳化硅二极管。为解决上述技术问题，专利技术采用如下的技术方案：本专利技术提供一种碳化硅二极管的制备方法，该制备方法包括如下步骤：S1：在碳化硅衬底的正面形成一碳化硅外延层；S2：在碳化硅外延层的表面形成一离子注入掩膜层；S3：对离子注入掩膜层进行图形化处理，得到图形化的离子注入掩膜层，且碳化硅外延层表面未被图形化的离子注入掩膜层覆盖的区域形成离子注入窗口；S4：采用离子注入法经离子注入窗口向碳化硅外延层上表面注入离子，形成离子注入区；S5：离子注入结束后将图形化的离子注入掩膜层剥离，然后进行高温退火处理；S6：高温退火处理后，在碳化硅外延层表面形成一场板介质层；S7：对场板介质层进行图形化处理，得到图形化的场板介质层；S8：在图形化的场板介质层表面形成一肖特基接触电极层，且在碳化硅衬底的背面形成一欧姆接触电极层；S9：对肖特基接触电极层进行图形化处理，使得图形化的场板介质层表面的部分区域裸露，得到图形化的肖特基接触电极。优选地，所述步骤S4中，所述离子注入区内包含至少一个离子注入基准区域，每一个离子注入基准区域内包含至少一个离子注入最小单元区，且每一个离子注入基准区域的边缘设置有环形边界区域。进一步优选地，所述离子注入区内的每一个所述离子注入基准区域的形状为矩形，且每一个所述离子注入基准区域内的每一个所述离子注入最小单元区的形状为矩形。进一步优选地，当所述离子注入区内包含两个以上所述离子注入基准区域时，其中任意两个所述离子注入基准区域相同，且所有的所述离子注入基准区域均匀排列。进一步优选地，对于所述离子注入区内的任意一个所述离子注入基准区域，当该所述离子注入基准区域内包含两个以上所述离子注入最小单元区时，该所述离子注入基准区域内的所有所述离子注入最小单元区的大小和形状均相同，且均匀排列。进一步优选地，所述离子注入区内的每一个所述离子注入基准区域的形状为正方形，且每一个所述离子注入基准区域内的每一个所述离子注入最小单元区的形状为正方形。优选地，所述步骤S4中，所述离子注入法的离子注入温度为0℃至1000℃，离子注入能量为1kev至500MeV，离子注入剂量为1×1010atom/cm-2至1×1016atom/cm-2。优选地，所述离子注入掩膜层为由硅、硅氧化合物、硅氮化合物或金属构成的单层薄膜层，或者为多层薄膜层；当所述离子注入掩膜层为多层薄膜层时，其中每一层薄膜层由硅、硅氧化合物、硅氮化合物和金属中至少两种材料构成，且各薄膜层的厚度相等，均为0.001～200μm。本专利技术还提供一种碳化硅二极管，该碳化硅二极管采用所述的碳化硅二极管的制备方法制成，该碳化硅二极管包括一碳化硅衬底、一碳化硅外延层、一图形化的场板介质层、一图形化的肖特基接触电极和一欧姆接触电极层；碳化硅外延层设置于碳化硅衬底的正面；在碳化硅外延层内且沿着碳化硅外延层的上表面设置有图形化的离子注入区；碳化硅外延层的上表面设置有图形化的场板介质层，且碳化硅外延层的上表面未图形化的场板介质层覆盖的区域设置有图形化的肖特基接触电极；图形化的场板介质层的上表面的部分区域被图形化的肖特基接触电极覆盖，其余区域裸露；欧姆接触电极层设置于碳化硅衬底的背面。优选地，所述碳化硅衬底为n型碳化硅或p型碳化硅，其材质为4H-SiC或6H-SiC；所述碳化硅外延层的厚度为0.1μm至500μm。本专利技术所记载的任何范围包括端值以及端值之间的任何数值以及端值或者端值之间的任意数值所构成的任意子范围。如无特殊说明，本专利技术中的各原料均可通过市售购买获得，本专利技术中所用的设备可采用所属领域中的常规设备或参照所属领域的现有技术进行。与现有技术相比较，本专利技术具有如下有益效果：(1)本专利技术提供的碳化硅二极管的制备方法，通过在离子注入基准区域的边缘设置环形边界区域来增加离子注入区域的面积，从而有利于提高碳化硅二极管的浪涌电流和雪崩电流耐量，且不需增加其他工艺步骤。(2)本专利技术提供的碳化硅二极管，通过在离子注入基准区域的边缘设置环形边界区域来增加离子注入区域的面积，从而有利于提高碳化硅二极管的浪涌电流和雪崩电流耐量。附图说明下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明图1-9为本专利技术实施例提供的碳化硅二极管的制备方法的各步骤的示意图；图10为本专利技术实施例的离子注入区的俯视示意图之一；图11为本专利技术实施例的离子注入区的俯视示意图之二。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术，下面结合优选实施例对本专利技术做进一步的说明。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本专利技术的保护范围。本实施例提供一种碳化硅二极管的制备方法，该制备方法包括如下步骤：S1：在碳化硅衬底11的正面形成一碳化硅外延层12，如图1所示；该步骤中形成的碳化硅外延层12将成为要制备的碳化硅二极管的漂移区；S2：在碳化硅外延层12的表面形成一离子注入掩膜层13a，如图2所示；S3：对离子注入掩膜层13a进行图形化处理，得到图形化的离子注入掩膜层13b，且碳化硅外延层12表面未被图形化的离子注入掩膜层13b覆盖的区域形成离子注入窗口14，如图3所示；本实施例中，按照例如图3(b)所示的图形对离子注入掩膜层13a进行图形化处理，且图形化的离子注入掩膜层13b沿着图3(b)所示OO线的剖面如图3(a)所示；S4：采用离子注入法经离子注入窗口14向碳化硅外延层12上表面注入离子，形成离子注入区15，如图4所示；本实施例中，离子注入结束后的俯视图例如如图3(b)所示(图中的空白区域为图形化的离子注入掩膜层13b，其余区域为离子注入区15)；S5：离子注入结束后将图形化的离子注入掩膜层13b剥离，如图5所示，然后进行高温退火处理(图中未示出)；S6：高温退火处理后，在碳化硅外延层12表面形成一场板介质层16a，如图6所示；S7：对场板介质层16a进行图形化处理，得到图形化的场板介质层16b，如图7所示；S8：在图形化的场板介质层16b表面形成一肖特基接触电极层17a，且在碳化硅衬底11的背面形成一欧姆接触电极层18，如图8所示；S9：对肖特基接触电极层17a进行图形化处理，使得图形化的场板介质层16b表面的部分区域裸露，得到图形化的肖特基接触电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅二极管的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：S1：在碳化硅衬底(11)的正面形成一碳化硅外延层(12)；S2：在碳化硅外延层(12)的表面形成一离子注入掩膜层(13a)；S3：对离子注入掩膜层(13a)进行图形化处理，得到图形化的离子注入掩膜层(13b)，且碳化硅外延层(12)表面未被图形化的离子注入掩膜层(13b)覆盖的区域形成离子注入窗口(14)；S4：采用离子注入法经离子注入窗口(14)向碳化硅外延层(12)上表面注入离子，形成离子注入区(15)；S5：离子注入结束后将图形化的离子注入掩膜层(13b)剥离，然后进行高温退火处理；S6：高温退火处理后，在碳化硅外延层(12)表面形成一场板介质层(16a)；S7：对场板介质层(16a)进行图形化处理，得到图形化的场板介质层(16b)；S8：在图形化的场板介质层(16b)表面形成一肖特基接触电极层(17a)，且在碳化硅衬底(11)的背面形成一欧姆接触电极层(18)；S9：对肖特基接触电极层(17a)进行图形化处理，使得图形化的场板介质层(16b)表面的部分区域裸露，得到图形化的肖特基接触电极(17b)。

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅二极管的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：S1：在碳化硅衬底(11)的正面形成一碳化硅外延层(12)；S2：在碳化硅外延层(12)的表面形成一离子注入掩膜层(13a)；S3：对离子注入掩膜层(13a)进行图形化处理，得到图形化的离子注入掩膜层(13b)，且碳化硅外延层(12)表面未被图形化的离子注入掩膜层(13b)覆盖的区域形成离子注入窗口(14)；S4：采用离子注入法经离子注入窗口(14)向碳化硅外延层(12)上表面注入离子，形成离子注入区(15)；S5：离子注入结束后将图形化的离子注入掩膜层(13b)剥离，然后进行高温退火处理；S6：高温退火处理后，在碳化硅外延层(12)表面形成一场板介质层(16a)；S7：对场板介质层(16a)进行图形化处理，得到图形化的场板介质层(16b)；S8：在图形化的场板介质层(16b)表面形成一肖特基接触电极层(17a)，且在碳化硅衬底(11)的背面形成一欧姆接触电极层(18)；S9：对肖特基接触电极层(17a)进行图形化处理，使得图形化的场板介质层(16b)表面的部分区域裸露，得到图形化的肖特基接触电极(17b)。2.根据权利要求1所述的碳化硅二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述离子注入区(15)内包含至少一个离子注入基准区域(20)，每一个离子注入基准区域(20)内包含至少一个离子注入最小单元区(21)，且每一个离子注入基准区域(20)的边缘设置有环形边界区域(22)。3.根据权利要求2所述的碳化硅二极管的制备方法，其特征在于，所述离子注入区(15)内的每一个所述离子注入基准区域(20)的形状为矩形，且每一个所述离子注入基准区域(20)内的每一个所述离子注入最小单元区(21)的形状为矩形。4.根据权利要求2或3所述的碳化硅二极管的制备方法，其特征在于，当所述离子注入区(15)内包含两个以上所述离子注入基准区域(20)时，其中任意两个所述离子注入基准区域(20)相同，且所有的所述离子注入基准区域(20)均匀排列。5.根据权利要求2或3所述的碳化硅二极管的制备方法，其特征在于，对于所述离子注入区(15)内的任意一个所述离子注入基准区域(20)，当该所述离子注入基准区域(20)...

【专利技术属性】
技术研发人员：何钧，郑柳，
申请(专利权)人：重庆伟特森电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50