一种加强薄片碳化硅晶圆机械强度的方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，公开了一种加强薄片碳化硅晶圆机械强度的方法，其具体包括以下步骤：步骤S1，制备与薄片晶圆形状相匹配的压环和支撑盘；步骤S2，将薄片晶圆夹在压环和支撑盘中间；步骤S3，将压环和支撑盘边缘固定连接。本发明专利技术的方法简单，易于实现，可通过在薄片晶圆周边增加压环以及在底部增加支撑盘，可以有效提高晶圆的机械强度，保证薄片晶圆工艺的顺利进行。此外，本发明专利技术通过单纯的机械结构加强机械强度，无需粘合剂，不存在杂质污染，而且具有机械强度高，易拆除的特点，适用范围广。广。广。

【技术实现步骤摘要】
一种加强薄片碳化硅晶圆机械强度的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种加强薄片碳化硅晶圆机械强度的方法。

技术介绍

[0002]电力电子器件也称为功率器件，主要运用在处理高电压和大电流的电能转换类应用场景中，对器件的能量转换效率要求颇高。对于功率器件来说，器件的厚度越薄，导通电阻就越低，功耗也会随之越小。而碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体材料，具有宽禁带宽度、高电子迁移率、高饱和击穿电场强度、高热导率等特性，是制备电力电子器件的理想材料。
[0003]在目前的碳化硅器件制备流程中，通常需要将碳化硅晶圆从350μm减薄到150μm，甚至到100μm。但减薄后碳化硅晶圆机械强度急剧下降，很容易在后续的工艺中发生碎裂(比如欧姆金属和焊接金属沉积、激光退火以及晶圆级测试等工艺过程)，从而造成不必要的损失。同时，由于薄片的翘曲较大，在减薄后的工艺中，自动传送装置无法精准抓取晶圆，必须手动作业，导致人力成本过高，效率低下。这两个问题的影响随着晶圆尺寸的增加也越来越大，越来越明显。
[0004]上述两个问题也曾出现在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加强薄片碳化硅晶圆机械强度的方法，具体包括以下步骤：步骤S1，制备与薄片晶圆(1)形状相匹配的压环(2)和支撑盘(3)；步骤S2，将薄片晶圆(1)夹在压环(2)和支撑盘(3)中间；步骤S3，将压环(2)和支撑盘(3)边缘固定连接。2.根据权利要求1所述的加强薄片碳化硅晶圆机械强度的方法，其特征在于，压环(2)和支撑盘(3)的材料均为金属、半导体、塑料或陶瓷。3.根据权利要求1或2所述的加强薄片碳化硅晶圆机械强度的方法，其特征在于，薄片晶圆(1)形状为圆形；压环(2)形状为圆环，圆环外径大于薄片晶圆(1)直径且内径小于薄片晶圆(1)直径；支撑盘(3)为圆盘，支撑盘(3)外径大于薄片晶圆(1)直径，且支撑盘(3)中间凹陷，边缘带有与薄片晶圆(1)接触的凸台(5)。4.根据权利要求1或2所述的加强薄片碳化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘敏，
申请(专利权)人：重庆伟特森电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：