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本发明属于半导体技术领域，公开了一种加强薄片碳化硅晶圆机械强度的方法，其具体包括以下步骤：步骤S1，制备与薄片晶圆形状相匹配的压环和支撑盘；步骤S2，将薄片晶圆夹在压环和支撑盘中间；步骤S3，将压环和支撑盘边缘固定连接。本发明的方法简单，易...
该专利属于重庆伟特森电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆伟特森电子科技有限公司授权不得商用。

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