一种无离子注入的碳化硅MOSFET的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，公开了一种无离子注入的碳化硅MOSFET的制备方法，其包括以下步骤：步骤S1，取一包括衬底、缓冲层和外延薄膜的碳化硅半导体薄膜；步骤S2，在外延薄膜表面形成基区沟槽；步骤S3，在基区沟槽内依次外延形成第一介质层，第二介质层和第三介质层；步骤S4，在第三介质层表面通过刻蚀形成栅极沟槽；步骤S5，在栅极沟槽底部形成第一栅氧化层，然后对栅极沟槽侧壁形成第二栅氧化层；步骤S6，在栅极沟槽内形成导电薄膜；在导电薄膜和第三介质层上方沉积隔离介质薄膜。步骤S7，在隔离介质薄膜上表面形成欧姆接触和第一压焊电极；在衬底背面形成欧姆接触和第二压焊电极。本发明专利技术方法简单，易于实现，且可大大降低工艺成本。艺成本。艺成本。

【技术实现步骤摘要】
一种无离子注入的碳化硅MOSFET的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种无离子注入的碳化硅MOSFET的制备方法。

技术介绍

[0002]目前，市场上常见的碳化硅器件制备在过程中需要在有源区和终端区通过高温离子注入、表面碳膜保护、高温退火、去碳膜等一系列复杂的工艺形成选择掺杂区。这一段
[0003]上述工艺一直是碳化硅器件制备过程中的产能瓶颈，尤其是碳化硅MOSFET器件，其常规工艺流程中需要3～4次高温离子注入及相关联的光刻和硬掩膜刻蚀步骤，十分耗时。此外，高温离子注人设备和高温退火设备购置成本也高达数千万人民币。另外，随着碳化硅晶圆尺寸从4英寸到6英寸，再到8英寸，高温离子注入和高温退火设备也需要重新采购，产能瓶颈的缺点愈发突出。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提出一种无离子注入的碳化硅MOSFET的制备方法，其方法简单，易于实现，且可大大降低工艺成本。
[0005]实现本专利技术目的所采用的技术方案是：
[0006]一种无离子注入的碳化硅MOSFET的制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无离子注入的碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1，取一碳化硅半导体薄膜(1)，且碳化硅半导体薄膜(1)自下而上依次包括衬底(101)、缓冲层(102)和外延薄膜(103)；步骤S2，在碳化硅外延薄膜(103)表面通过第一介质薄膜沉积、光刻和刻蚀，形成图形化的第一掩膜层(2)，通过刻蚀形成基区沟槽(3)；步骤S3，去除步骤S2中残留的第一掩膜层(2)，并在基区沟槽(3)内依次外延形成第一介质层(4)，第二介质层(5)和第三介质层(6)；步骤S4，在第三介质层(6)表面通过第二介质薄膜沉积、光刻和刻蚀，形成图形化的第二掩膜层，通过刻蚀形成栅极沟槽(7)，然后去除第二掩膜层；步骤S5，在栅极沟槽(7)底部形成第一栅氧化层(8)，然后对栅极沟槽(7)侧壁进行高温氧化形成第二栅氧化层(9)；步骤S6，在栅极沟槽(7)内依次通过沉积、刻蚀形成导电薄膜(10)；然后在导电薄膜(10)和第三介质层(6)上方沉积隔离介质薄膜(11)。步骤S7，在隔离介质薄膜(11)上通过光刻和刻蚀形成源极和基极的欧姆接触开孔，并在上表面形成欧姆接触和第一压焊电极(12)；在衬底(101)背面通过减薄和高温金属化工艺形成欧姆接触和第二压焊电极(13)。2.根据权利要求1所述的无离子注入的碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，衬底(101)、缓冲层(102)、延薄层1和第三介质层(6)均为第一导电类型，第一介质层(4)和第二介质层(5)为第二导电类型；所述导电类型分为N型和P型，第一导电类型与第二导电类型掺杂类型相反。3.根据权利要求2所述的无离子注入的碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，若导电类型为N型，则掺杂杂质为氮(N)或者磷(P)；若导电类型为P型，则掺杂杂质为铝(Al)或者硼(B)；N型掺杂P型掺杂的掺杂浓度均为1

【专利技术属性】
技术研发人员：郑柳，何志，
申请(专利权)人：重庆伟特森电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：