栅极硅化物电阻的形成方法技术

本发明专利技术提供一种栅极硅化物电阻的形成方法，提供衬底，衬底上形成有器件区以及电阻区；器件区和电阻区上均形成有栅极叠层，栅极叠层的侧壁形成有侧墙；在衬底上形成覆盖器件区和电阻区的光刻胶层，之后光刻打开器件区中关键尺寸大于设置值的栅极叠层上方的光刻胶层；回刻蚀光刻胶层及栅极叠层，使得器件区中的第二硬掩膜层去除，电阻区中的部分第二硬掩膜层保留；刻蚀减薄侧墙以及去除器件区上的第一硬掩膜层，电阻区上的第一硬掩膜层及其上的部分第二硬掩膜层保留。本发明专利技术的栅极硅化物电阻的形成方法少了一层光刻层，节约了成本；本发明专利技术仅从设计上改版回刻蚀的光罩，无新增工艺；本发明专利技术可以增大出货量，增加产能。增加产能。增加产能。

【技术实现步骤摘要】
栅极硅化物电阻的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种栅极硅化物电阻的形成方法。

技术介绍

[0002]在28nm技术节点的高K金属栅工艺中，通常用高阻(HR)工艺形成电阻。其工艺流程如下：
[0003]步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有器件区以及电阻区；所述器件区和所述电阻区上均形成有栅极叠层，所述栅极叠层的侧壁形成有侧墙，所述栅极叠层由自下而上依次堆叠的栅氧化层、伪栅多晶硅层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层组成；
[0004]步骤二、形成覆盖所述栅极叠层的刻蚀停止层，之后在所述栅极叠层上形成层间介质层，掩膜所述层间介质层至所述栅极叠层的上方；
[0005]步骤三、在所述层间介质层、所述栅极叠层上依次形成电阻叠层，电阻叠层可由自下而上依次堆叠的硅酸四乙酯层、氮化钛层、氮化硅层和顶部氧化层组成；
[0006]步骤四、利用光刻和刻蚀使得所述电阻区上的所述电阻叠层保留。
[0007]现有工艺通过一张电阻光罩定义出电阻区域，实际工艺中工序较多，一定程度上降低了出货量，影响产能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种栅极硅化物电阻的形成方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有器件区以及电阻区；所述器件区和所述电阻区上均形成有栅极叠层，所述栅极叠层的侧壁形成有侧墙，所述栅极叠层由自下而上依次堆叠的栅氧化层、伪栅多晶硅层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层组成；步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述器件区和所述电阻区的光刻胶层，之后光刻打开所述器件区中关键尺寸大于设置值的所述栅极叠层上方的所述光刻胶层；步骤三、回刻蚀所述光刻胶层及所述栅极叠层，使得所述器件区中的所述第二硬掩膜层去除，所述电阻区中的部分所述第二硬掩膜层保留，之后去除剩余的所述光刻胶层；步骤四、刻蚀减薄所述侧墙以及去除所述器件区上的所述第一硬掩膜层，所述电阻区上的所述第一硬掩膜层及其上的部分所述第二硬掩膜层保留；步骤五、在刻蚀后的所述栅极叠层上形成刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上形成层间介质层，研磨所述层间介质层至所述器件区中所述伪栅多晶硅层的上方，使得所述器件区中的所述伪栅多晶硅层裸露，所述电阻区上的所述第一、二硬掩膜层及其下方的所述伪栅多晶硅层保留；步骤六、去除所述器件区中的所述伪栅多晶硅层，所述电阻区上的伪栅多晶硅层保留为电阻结构。2.根据权利要求1所述的栅极硅化物电阻的形成方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(S...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙晨岑，李刚，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：