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本发明提供一种栅极硅化物电阻的形成方法，提供衬底，衬底上形成有器件区以及电阻区；器件区和电阻区上均形成有栅极叠层，栅极叠层的侧壁形成有侧墙；在衬底上形成覆盖器件区和电阻区的光刻胶层，之后光刻打开器件区中关键尺寸大于设置值的栅极叠层上方的光刻...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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