封装结构及封装结构的制备方法技术

本申请提供了一种封装结构和封装结构的制作方法。该封装结构包括：第一电子元件、导电通道、第一导电结构、第二导电结构；导电通道贯穿第一电子元件；第一导电结构设于导电通道的底部；第二导电结构通过第一导电结构与导电通道电连接；在预设温度下第一导电结构的材料扩散能力低于第二导电结构的材料扩散能力。通过将退火温度等预设温度下扩散能力较弱的第一导电结构设置在导电通道的底部，使得在形成导电通道过程中采用的过刻蚀工艺导致引起的反溅射对第一电子元件电学性能的影响减小。溅射对第一电子元件电学性能的影响减小。溅射对第一电子元件电学性能的影响减小。溅射对第一电子元件电学性能的影响减小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：赫然，许俊豪，朱伟骅，宋伟基，焦慧芳，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：