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本发明属于半导体技术领域，公开了一种无离子注入的碳化硅MOSFET的制备方法，其包括以下步骤：步骤S1，取一包括衬底、缓冲层和外延薄膜的碳化硅半导体薄膜；步骤S2，在外延薄膜表面形成基区沟槽；步骤S3，在基区沟槽内依次外延形成第一介质层，第...
该专利属于重庆伟特森电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆伟特森电子科技有限公司授权不得商用。

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