一种高密度trench型MOSFET的制造方法技术

本发明专利技术公开一种高密度trench型MOSFET的制造方法，属于半导体功率器件领域。在沟槽前先实现阱区注入，沟槽刻蚀的硬掩蔽层采用外延硅

【技术实现步骤摘要】
一种高密度trench型MOSFET的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体功率器件
，特别涉及一种高密度trench型MOSFET的制造方法。

技术介绍

[0002]Trench型MOSFET是一种新型分立型功率MOSFET功率器件，和双极型功率器件性能相比，具有导通损耗低，工作频率高，电压控制型器件，控制电路简单等优点，越来越受到工业界的重视。相比与平面型MOSFET，Trench型MOSFET纵向的沟槽栅和导电沟道消除JFET区效应，可实现更小的元胞尺寸和更高的电流谜底，提高器件的电流能力和开关性能，特别是在中低压功率MOSFET领域具有更加明显优势。
[0003]Trench型MOSFET由于不受JFET区域限制，可以更大限度的发挥沟道密度的优势。对于沟道电阻占比较高的中低压产品来说，如何提升元胞的沟槽密度是trench型产品的关键。同时可以看到，沟槽密度增加，元胞区域各关键工艺窗口必随之减小，会使高密度trench型MOSFET产品元胞区域硅孔对位偏差导致器件在工作时过电流不均匀出现局部发生烧毁。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高密度trench型MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：在外延硅片上生长第一氧化硅层，通过离子注入实现阱注入，淀积第一氮化硅层，形成外延硅
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氧化硅
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氮化硅三层薄膜结构，再淀积第二氧化硅层；通过TR光刻和腐蚀工艺挖出trench结构，再通过高温牺牲氧化工艺修复trench结构的侧壁和底部；利用栅氧化工艺生长栅氧层和淀积多晶，通过多晶回刻工艺刻蚀掉沟槽以外区域的多晶，刻蚀停止在介质层上，再利用高温热过程，进行推结形成阱区；通过介质干法腐蚀，利用多晶的侧墙效应，在多晶两侧留下SPACER结构，再通过氮化硅腐蚀，刻蚀掉裸露的第一氮化硅层；通过N+光刻和使用离子注入，实现源极注入并激活，实现元胞区域源极接触区；做好介质的淀积和平坦化处理，利用孔光刻和介质孔腐蚀，完成接触孔部分介质孔工艺；去除孔光刻胶，实现接触孔中硅孔腐蚀，由于元胞区域有氮化硅硬掩蔽层，硅孔腐蚀仅刻蚀没有氮化硅保护的区域，从而实现硅孔腐蚀的自对准工艺；利用孔注入和激活形成体区引出，通过钨孔填充和研磨，实现接触孔金属引出；通过金属淀积，光刻和腐蚀，实现金属互联，完成整体器件。2.如权利要求1所述的高密度trench型MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖远宝，徐政，徐海铭，唐新宇，张庆东，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：