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本发明公开一种高密度trench型MOSFET的制造方法，属于半导体功率器件领域。在沟槽前先实现阱区注入，沟槽刻蚀的硬掩蔽层采用外延硅
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该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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