晶片转移方法技术

本发明专利技术提供了一种晶片转移方法，该晶片转移方法可应用于扇出型面板级封装，该方法包括：将带有粘接层的方形承载基板压在粘接于蓝膜且呈圆形分布的晶片上，使承载基板与晶片粘接；抬起承载基板从而使承载基板覆盖区域内的晶片与蓝膜分离；将承载基板压在设计有粘接层图形的大尺寸目的基板上，目的基板上粘接层图形的间距是晶片间距的n倍，使晶片与目的基板粘接；抬起承载基板，1/n2承载基板数量的晶片转移至目的基板上。承载基板与晶片之间的黏附力大于蓝膜与晶片之间的黏附力，并且小于目的基板与晶片之间的黏附力。该方法通过两次转移将多片晶片同时从蓝膜转移至目的方形基板上，使用该方法能够提高晶圆重构的效率和降低晶圆重构的成本。圆重构的成本。圆重构的成本。

【技术实现步骤摘要】
晶片转移方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种晶片转移方法。

技术介绍

[0002]扇出型晶片级封装(Fan Out Wafer Level Package，FOWLP)以及扇出型面板级封装(Fan Out Panel Level Package，FOPLP)是近年来受到广泛关注的两种封装工艺。FOWLP和FOPLP这两种工艺均包含晶圆重构这一步骤。晶圆重构的大致过程为，将晶圆切割成多个晶片，然后将晶片转移到一个载板上，晶片转移完成之后，在载板上制作RDL层(Redistribution Layer)，将晶片的I/O电极导出。现有技术中，通常是采用真空吸附头或静电吸附头将晶片逐个从蓝膜转移到载板上，这导致晶片转移的效率较低和工艺成本较高。
[0003]FOPLP扇出面板级封装，被视为是延伸FOWLP、并可高整合度IC封装的突破性技术。FOPLP将圆形的wafer载板变更为更大尺寸的方形载板(glass or PCB)，利用率更高，成本更低。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.晶片转移方法，其特征在于，通过承载基板将蓝膜上的晶片转移至目的基板上，所述承载基板能够与所述晶片粘接，所述目的基板具有多个第一粘接体，相邻的所述第一粘接体之间具有第一间隙，所述目的基板能够通过所述第一粘接体与所述晶片粘接，所述承载基板与所述晶片之间的黏附力大于所述蓝膜与所述晶片之间的黏附力，所述承载基板与所述晶片之间的黏附力小于所述目的基板与所述晶片之间的黏附力，所述承载基板具有多个第二粘接体，所述承载基板通过所述第二粘接体与所述晶片粘接，每一所述第一粘接体用于与一个所述晶片粘接，每一所述第二粘接体用于与一个所述晶片粘接，相邻的所述第一粘接体之间的距离为L1，相邻的所述第二粘接体之间的距离为L2，满足：L1＝n
·
L2，n≥2且n为整数；所述晶片转移方法包括以下步骤：S10：将所述承载基板压在粘接于所述蓝膜的所述晶片上，使所述承载基板与m个所述晶片粘接，m为大于1的正整数；S20：抬起所述承载基板，从而使粘接于所述承载基板的所述晶片与所述蓝膜分离；S30：将所述承载基板压在所述目的基板上，使一部分所述晶片与所述目的基板粘接，并且使其余未粘接于所述目的基板的所述晶片与所述第一间隙相对，其中，共有(m/n2)个所述晶片与所述目的基板粘接，且(m/n2)为正整数；S40：抬起所述目的基板，从而使粘接于所述目的基板的所述晶片与所述承载基板分离；S50：判断所述承载基板上的所有所述晶片是否均被转移至所述目的基板上，若否，则依次重复步骤S30和步骤S40。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，张晓军，
申请(专利权)人：深圳市矩阵多元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：