沉积机台以及其操作方法技术

本发明专利技术提供一种沉积机台以及其操作方法，其中该沉积机台包含一腔体，以及一第一管路与一第二管路，其中该第一管路的一末端与该第二管路的一末端连接至该腔体中，其中该第二管路的一部分穿过该第一管路的一侧壁，并且延伸进入该第一管路的内部。本发明专利技术的沉积机台具有降低管路被阻塞的风险。低管路被阻塞的风险。低管路被阻塞的风险。

【技术实现步骤摘要】
沉积机台以及其操作方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其是涉及一种改良的沉积机台，其可降低沉积过程中管路被阻塞的风险。

技术介绍

[0002]沉积是半导体制作工艺中相当常见的技术，用于形成各种材料层于基底上，或是形成材料层的堆叠结构。因此沉积机台通常也会长时间运转，以保持产品制作工艺效率。
[0003]然而，沉积机台本身在使用一段时间后就必须要进行保养，例如需要清洁腔体内部等。机台保养的次数愈多，也就代表制作工艺被中断的次数变多。因此如何在不影响机台效能的情况下，减少机台保养的次数，是一个本领域值得研究的目标。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种沉积机台，包含一腔体，以及一第一管路与一第二管路，其中第一管路的一末端与第二管路的一末端连接至腔体中，其中第二管路的一部分穿过第一管路的一侧壁，并且延伸进入第一管路的内部。
[0005]本专利技术另提供一种沉积机台的操作方法，包含提供一腔体，提供一第一管路与一第二管路，其中第一管路的一末端与第二管路的一末端连接至腔体中，其中第二管路的一部分穿过第一管路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沉积机台，包含:腔体；以及第一管路与第二管路，其中该第一管路的一端与该第二管路的一端连接至该腔体中，其中该第二管路的一部分穿过该第一管路的侧壁，并且延伸进入该第一管路的内部。2.如权利要求1所述的沉积机台，其中该第一管路的管径大于该第二管路的管径。3.如权利要求1所述的沉积机台，其中该第二管路位于该第一管路内部的部分定义为延伸部，且该延伸部包含有转弯结构。4.如权利要求3所述的沉积机台，其中该第一管路的另外一端连接泵。5.如权利要求4所述的沉积机台，其中该延伸部的末端朝向该泵。6.如权利要求4所述的沉积机台，其中该腔体内包含有悬浮于空气中的沉积物，且该沉积物经由该第一管路被该泵抽出。7.如权利要求3所述的沉积机台，其中该第二管路的该延伸部的末端开口管径，大于该第二管路的管径。8.如权利要求3所述的沉积机台，其中该延伸部为流线形状。9.如权利要求1所述的沉积机台，其中还包含有晶片座，位于该腔体内，且该第二管路连接该腔体的该端连接至该晶片座。10.一种沉积机台的操作方法，包含:提供腔体；提供第一管路与第二管路，其中该第一管路的一端与该...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡建平，黄志坚，谈文毅，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：