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本实用新型涉及一种沟槽型二极管器件，所述沟槽型二极管器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的阵列分布的元胞沟槽；覆盖所述元胞沟槽内壁的介质层，所述介质层的厚度自元胞沟槽顶部向下逐渐增大；位于所述介质层表面且填充满所述元胞沟槽的电极层，所述电...
该专利属于福建龙夏电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建龙夏电子科技有限公司授权不得商用。

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