【技术实现步骤摘要】
研磨头及化学机械研磨装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种研磨头及化学机械研磨装置。
技术介绍
随着高科技电子消费市场的迅速发展，晶圆制造行业要求越来越高的器件密度、越来越小的线宽，随之而来，晶圆表面平坦程度的要求越来越高。化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)是目前半导体制造行业最常用的晶圆表面平坦化处理方法，化学机械研磨通过化学反应过程和机械研磨过程共同作用完成平坦化处理。现有的化学机械研磨装置包括研磨头、研磨垫以及研磨液供给管道。所述研磨垫铺设于研磨平台上，所述研磨头的下端装配有待研磨晶圆，所述待研磨晶圆与所述研磨垫接触。在进行化学机械研磨的过程中，研磨液从所述研磨液供给管道以一定的速率流到所述研磨垫的表面，所述研磨头向所述待研磨晶圆施加一定压力，使得待研磨晶圆的待研磨面与所述研磨垫产生机械接触；在研磨过程中，所述研磨平台、所述研磨头分别以一定的速度旋转，而研磨平台的转动同时也会带动所述研磨垫的转动，从而通过机械和化学作用去除待研磨晶圆表面的薄膜，以达到待研磨晶圆表面平坦化的目的。一般来说，研磨头包括研磨头本...
【技术保护点】
1.一种研磨头，包括本体以及均位于所述本体朝向研磨垫一侧的吸附膜和限位环，所述限位环与所述吸附膜之间具有一间隙，其特征在于，还包括嵌入所述本体内的管道；所述本体朝向所述吸附膜的表面具有至少一开口，所述开口与所述管道连通，清洗液经所述管道从所述开口喷出，以清洗残留于所述间隙内的研磨液。
【技术特征摘要】
1.一种研磨头，包括本体以及均位于所述本体朝向研磨垫一侧的吸附膜和限位环，所述限位环与所述吸附膜之间具有一间隙，其特征在于，还包括嵌入所述本体内的管道；所述本体朝向所述吸附膜的表面具有至少一开口，所述开口与所述管道连通，清洗液经所述管道从所述开口喷出，以清洗残留于所述间隙内的研磨液。2.根据权利要求1所述的研磨头，其特征在于，至少一开口包括多个开口，且多个开口关于所述本体的轴向对称设置。3.根据权利要求2所述的研磨头，其特征在于，所述吸附膜位于所述本体与所述限位环围绕而成的腔体内，多个开口沿竖直方向的投影环绕所述吸附膜外周设置。4.根据权利要求1所述的研磨头，其特征在于，还包括均用于与所述管道连通的第一存储罐和第二存储罐；所述第一存储罐用于存储所述清洗液，所述第二存储罐用于存储去离子水；所述清洗液与所述去离子水先后经所述管道自所述开口喷出。5.根据权利要求4所述的研磨头，其特征在于，还包括用于与所述管道连通的第三存储罐...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈新林，王海宽，郭松辉，吴龙江，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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