晶圆座的清洁方法、半导体制作方法与清洁系统技术方案

一种晶圆座的清洁方法。晶圆座的清洁方法包括：在真空腔室中，将清洁装置放置于晶圆座；通过晶圆座将清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座；以及当清洁装置被吸附于晶圆座且经过第一时间时，将清洁装置与晶圆座分离。

【技术实现步骤摘要】
晶圆座的清洁方法、半导体制作方法与清洁系统
本公开实施例涉及一种清洁方法，特别涉及晶圆座的清洁方法。
技术介绍
在一些半导体装置的制作过程中，会将半导体装置放置于晶圆座(waferchuck)上。随着时间的累积，晶圆座的表面有可能会累积一些污染物，例如粉尘粒子、硅微粒或光致抗蚀剂残留物等等。为了减少上述污染物对半导体制程所产生的影响，一般会针对晶圆座执行清洁的操作。虽然现有的清洁方法已可在某种程度上降低晶圆座表面的污染物，但仍然具有可进一步改善的空间。
技术实现思路
本公开实施例提供一种晶圆座的清洁方法。晶圆座的清洁方法包括：在真空腔室中，将清洁装置放置于晶圆座；通过晶圆座将清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座；以及当清洁装置被吸附于晶圆座且经过第一时间时，将清洁装置与晶圆座分离。本公开实施例提供一种半导体制作方法。半导体制作方法包括：在真空腔室中，将第一清洁装置放置于晶圆座；通过晶圆座将第一清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座；当清洁装置被吸附于晶圆座且经过第一时间时，将第一清洁装置与晶圆座分离；以及在将第一清洁装置与晶圆座分离后，将半导体装置放置于晶圆座以对半导体装置执行至少一半导体制程。本公开实施例提供一种清洁系统，清洁系统包括真空腔室、清洁装置、晶圆座、传送装置、控制器。清洁装置被配置于真空腔室内。清洁装置包括基底以及聚合物材料层。聚合物材料层被配置于基底上。晶圆座被配置于真空腔室内。传送装置被配置于真空腔室内以选择性地将清洁装置放置于晶圆座。控制器被配置于真空腔室内以控制晶圆座与传送装置。晶圆座是通过静电吸附清洁装置。附图说明图1是依据本公开实施例的清洁装置的示意图。图2A、2B是依据本公开实施例的清洁系统的示意图。图3A、3B是依据本公开实施例的聚合物材料层的示意图。图4A-4C是依据本公开实施例的清洁方法的操作示意图。图5A、5B是依据本公开实施例的半导体制造系统的示意图。图6是依据本公开实施例的半导体制作方法的操作示意图。图7是依据本公开实施例的半导体制作方法的操作示意图。附图标记说明：100～清洁装置101～聚合物材料层102～基底200～清洁系统201～真空腔室202～晶圆座203～传送装置204～控制器205～检测装置300～主体部301～突出部302～特征部400、400B、400C～清洁方法401-404～操作TN～时间T～间隔时间N～指标410-414～操作500、500B～半导体制造系统501～光学装置510～半导体设备W～半导体装置S～光源L～光线600～半导体制作方法601-604～操作700～半导体制作方法701-705～操作具体实施方式以下公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若实施例中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的情况，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使得上述第一特征与第二特征未直接接触的情况。在下文中使用的空间相关用词，例如"在…下方"、"下方"、"较低的"、"上方"、"较高的"及类似的用词，为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中绘示的方位外，这些空间相关用词也意指可能包含在不同的方位下使用或者操作附图中的装置。以下不同实施例中可能重复使用相同的元件标号及/或文字，这些重复为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。在下文中使用的第一以及第二等词汇，仅作为清楚解释之目的，并非用以对应以及限制专利范围。此外，第一特征以及第二特征等词汇，并非限定为相同或是不同的特征。在附图中，结构的形状或厚度可能扩大，以简化或便于标示。必须了解的是，未特别描述或图示的元件可以本领域技术人士所熟知的各种形式存在。图1是依据本公开实施例的清洁装置100的示意图。清洁装置100包括基底102与聚合物材料层101。在一些实施例中，清洁装置100可被放置于晶圆座(waferchuck)上，藉以将上述晶圆座表面的污染物(例如粉尘粒子、硅微粒或光致抗蚀剂残留物等等)粘附聚合物材料层101。因此，当清洁装置100与上述晶圆座分离时，可同时将上述污染物带离上述晶圆座的表面，进而实现清洁晶圆座的效果。在一些实施例中，聚合物材料层101可由弹性聚合物所组成或具有受控表面粘性且不会转移至晶圆座的聚合物所组成。在一些实施例中，基底102的材质可包括硅。在某些实施例中，清洁装置100可为具有半导体装置的一工作晶圆或未具有半导体装置的一非工作晶圆(即空白晶圆)。图2A是依据本公开实施例的清洁系统200的示意图。清洁系统200包括真空腔室201、晶圆座202、传送装置203、控制器204、检测装置205以及清洁装置100。晶圆座202可乘载半导体装置(例如晶圆)或清洁装置100。传送装置203可被配置以选择性地将清洁装置100放置于晶圆座202上，或者使清洁装置100与晶圆座202分离。控制器204至少可被配置以控制晶圆座202、传送装置203与检测装置205。检测装置205可被配置以检测晶圆座202表面是否需要被清洁(例如检测晶圆座202表面是否具有污染物或晶圆座202表面是否不平坦)。在一些实施例中，传送装置203包括机械手臂。在一些实施例中，检测装置205为光学检测装置，通过发射光线至晶圆座202且接收晶圆座202所产生的反射光来判断晶圆座202表面是否需要被清洁(例如通过反射光的角度或光线强度)。在一些实施例中，控制器204被配置以控制传送装置203，藉以将清洁装置100放置于晶圆座202来执行清洁操作，如图2B所示。当清洁装置100放置于晶圆座202时，控制器204控制晶圆座202，使晶圆座202将聚合物材料层101吸附于晶圆座202。聚合物材料层101因晶圆座202的吸引力而被压缩，进而与晶圆座202的污染物接触，使上述污染物附着(或黏附)于聚合物材料层101。继之，当传送装置203将清洁装置100与晶圆座202分离时，附着于聚合物材料层101的上述污染物亦与晶圆座202分离。在一些实施例中，晶圆座202可通过静电吸附的方式吸附清洁装置100。在一些实施例中，聚合物材料层101可包括金属化合物以增强与晶圆座202之间的静电吸附力。在一些实施例中，晶圆座202表面可被聚合物材料层101完全覆盖。在一些实施例中，聚合物材料层101的厚度可大于或等于一既定厚度(例如200μm)，藉此使上述污染物可附着于聚合物材料层101。在一些实施例中，在晶圆座202停止施加于聚合物材料层101的吸附力之后，传送装置203再将清洁装置100与晶圆座202分离。在一些实施例中，清洁装置100被晶圆座202吸附的时间可大于一既定时间(例如15秒)，藉此增加聚合物材料层101被挤压的程度，使上述污染物更容易被粘附或嵌入于聚合物材料层101。在一些实施例中，控制器204可增加晶圆座202的吸附力，藉此增加聚合物材料层101被挤压的程度，使上述污染物更容易被粘附或嵌入于聚合物材料层101。依据图2A、2B与所述实施例，本公开实施例在清洁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆座的清洁方法，包括：在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一晶圆座；通过该晶圆座将该清洁装置的聚合物材料层吸附于该晶圆座；以及当该清洁装置被吸附于该晶圆座且经过一第一时间时，将该清洁装置与该晶圆座分离。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆座的清洁方法，包括：在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一晶圆座；通过该晶圆座将该清洁装置的聚合物材料层吸附于该晶圆座；以及当该清洁装置被吸附于该晶圆座且经过一第一时间时，将该清洁装置与该晶圆座分离。2.如权利要求1所述的晶圆座的清洁方法，还包括：当该清洁装置与该晶圆座分离且经过一间隔时间时，将该清洁装置放置于该晶圆座且通过该晶圆座将该清洁装置的聚合物材料层吸附于该晶圆座，以及当该清洁装置被吸附于该晶圆座且经过该第一时间时，将该清洁装置与该晶圆座分离。3.如权利要求1所述的晶圆座的清洁方法，还包括：在将该清洁装置与该晶圆座分离后，判断该晶圆座表面是否需要被清洁；以及若该晶圆座表面需要被清洁，则将该清洁装置放置于该晶圆座，通过该晶圆座将该清洁装置的聚合物材料层吸附于该晶圆座，以及当该清洁装置被吸附于该晶圆座且经过一第二时间时，将该清洁装置与该晶圆座分离；其中，该第二时间大于该第一时间。4.如权利要求3所述的晶圆座的清洁方法，还包括：若该晶圆座表面不需要被清洁，则在该清洁装置与该晶圆座分离且经过一间隔时间时，将该清洁装置放置于该晶圆座，通过该晶圆座将该清洁装置的聚合物材料层吸附于该晶圆座，以及当该清洁装置被吸附于该晶圆座且经过该第一时间时，将该清洁装置与该晶圆座分离。5.一种半导体制作方法，包括：在一真空腔室中，将一第一清洁装置放置于一晶圆座；通过该晶圆座将该第一清洁装置的聚合物材料层吸附于该晶圆座；当该第一清洁装置被吸附于该晶圆座且经过一第一时间时，将该第一清洁装置与该晶圆座分离；以及在将该第一清洁装置与该晶圆座分离后，将一半导体装置放置于该晶圆座以对该半导体装置执行至少一半导体制程。6.如权利要求5所述的半导体制作方法，还包括：在该半导体装置与该晶圆座分离后，将该第一清洁装...

【专利技术属性】
技术研发人员：王绍华，陈梓文，石世昌，陈立锐，郑博中，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71