The invention relates to a copper clamp stacking chip structure and its packaging method. The copper clamp stacking chip structure includes a lead frame, a first chip, a second chip, a first copper clamp, a second copper clamp and a plastic sealing material. The first chip is fixed on the lead frame through the first welding material, the first copper clamp is fixed on the lead frame and/or the first chip through the first welding material, and the second chip is fixed on the lead frame and/or the first chip through the second welding. The material is fixed on the first copper clamp, and the second cylinder clamp is fixed on the second chip through the second welding material. The welding melting temperature of the first welding material is higher than that of the second welding material. The invention applies the copper clamp connection mode to stacked chips, and connects stacked chips with different chips through stacked copper clamps, realizes the connection of stacked chips and lead frames, meets the requirements of high power and high current, and has the advantages of low power consumption and high heat dissipation; moreover, it reduces the size of packaging products, and improves the output and yield of products.
【技术实现步骤摘要】
一种铜夹堆叠芯片结构及其封装方法
本专利技术涉及芯片封装
,尤其涉及一种铜夹堆叠芯片结构及其封装方法。
技术介绍
现有技术中的封装芯片产品基本都是通过各种金属线来连接芯片和引线框,这种金属线焊接方式具有低电流、散热差的缺点,很难满足大功率、高电流的要求,对于一些复杂的芯片堆叠产品,目前的金属线连接方式更是无法满足这些要求,有待改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种铜夹堆叠芯片结构及其封装方法,弥补了传统金属线连接的低电流,散热差的缺点,可广泛用于大功率、高电流、低功耗、高散热要求的芯片封装产品。本专利技术是这样实现的:一种铜夹堆叠芯片结构,包括引线框、第一芯片、第二芯片、第一铜夹、第二铜夹和塑封料,第一芯片通过第一焊接材料固定在引线框上,第一铜夹通过第一焊接材料固定在引线框和/或第一芯片上,第二芯片通过第二焊接材料固定在第一铜夹上,所述第二筒夹通过第二焊接材料固定在第二芯片上,所述第一焊接材料的焊接熔化温度大于第二焊接材料的焊接熔化温度。其中,所述第一焊接材料的焊接熔化温度为350±30℃,所述第二焊接材料的焊接熔化温度为260±30℃。其中,所述第一芯片和第二芯片为MOSFET芯片,所述第一芯片的源极和栅极与引线框连接,所述第一铜夹使第一芯片的漏极和第二芯片的漏极与引线框连接;所述第二铜夹包括铜夹b1和铜夹b2,所述铜夹b1使第二芯片的源极与引线框连接,所述铜夹b2使第二芯片的栅极与引线框连接。其中,所述第一铜夹上设有镂空结构。其中,所述铜夹堆叠芯片还包括第三芯片,所述第三芯片通过装片膜固定在第一铜夹上,并通过金属线与引线框的引脚连接。本专 ...
【技术保护点】
1.一种铜夹堆叠芯片结构,其特征在于,包括引线框、第一芯片、第二芯片、第一铜夹、第二铜夹和塑封料,第一芯片通过第一焊接材料固定在引线框上,第一铜夹通过第一焊接材料固定在引线框和/或第一芯片上,第二芯片通过第二焊接材料固定在第一铜夹上,所述第二筒夹通过第二焊接材料固定在第二芯片上,所述第一焊接材料的焊接熔化温度大于第二焊接材料的焊接熔化温度。
【技术特征摘要】
1.一种铜夹堆叠芯片结构,其特征在于,包括引线框、第一芯片、第二芯片、第一铜夹、第二铜夹和塑封料,第一芯片通过第一焊接材料固定在引线框上,第一铜夹通过第一焊接材料固定在引线框和/或第一芯片上,第二芯片通过第二焊接材料固定在第一铜夹上,所述第二筒夹通过第二焊接材料固定在第二芯片上,所述第一焊接材料的焊接熔化温度大于第二焊接材料的焊接熔化温度。2.根据权利要求1所述的铜夹堆叠芯片结构,其特征在于,所述第一焊接材料的焊接熔化温度为350±30℃,所述第二焊接材料的焊接熔化温度为260±30℃。3.根据权利要求1所述的铜夹堆叠芯片结构,其特征在于,所述第一芯片和第二芯片为MOSFET芯片,所述第一芯片的源极和栅极与引线框连接,所述第一铜夹使第一芯片的漏极和第二芯片的漏极与引线框连接;所述第二铜夹包括铜夹b1和铜夹b2,所述铜夹b1使第二芯片的源极与引线框连接,所述铜夹b2使第二芯片的栅极与引线框连接。4.根据权利要求1所述的铜夹堆叠芯片结构,其特征在于,所述第一铜夹上设有镂空结构。5.根据权利要求1所述的铜夹堆叠芯片结构,其特征在于,所述铜夹堆叠芯片还包括第三芯片,所述第三芯片通过装片膜固定在第一铜夹上,并通过金属线与引线框...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨建伟,
申请(专利权)人:广东气派科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。