掩膜版及掩膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种掩膜版及掩膜装置，属于曝光设备技术领域。本发明专利技术的掩膜版，包括本体，所述本体具有非曝光区、半曝光区和完全曝光区；在所述半曝光区的部分区域，和/或所述完全曝光区的部分区域设置有光栅结构。本发明专利技术中所提供的掩膜版较现有的半透膜掩膜版而言具有更多种光线透过率，因此，将本发明专利技术中的掩膜版应用至显示面板中的隔垫物的制备工艺中，可以形成多种高度的隔垫物，从而可以改善由于阵列基板上的段差不同，造成的显示面板周边漏光的问题。

Mask plate and mask device

The invention provides a mask plate and a mask device, belonging to the technical field of exposure equipment. The mask plate of the invention comprises a body having a non-exposure area, a half-exposure area and a full exposure area, and a grating structure is arranged in part of the half-exposure area and/or part of the full exposure area. The mask plate provided by the invention has more light transmittance than the existing semi-permeable mask plate. Therefore, when the mask plate in the invention is applied to the preparation process of the spacer in the display panel, a variety of high spacers can be formed, thereby improving the problem of light leakage around the display panel due to the different segment differences on the array substrate.

【技术实现步骤摘要】
掩膜版及掩膜装置
本专利技术属于曝光设备
，具体涉及一种掩膜版及掩膜装置。
技术介绍
半透膜掩膜版主要应用于曝光工艺中，其通过利用半透膜实现同一张掩膜版上有三种不同的透过率，分别为100％、半透膜透过率、0％，从而实现光刻胶的三种状态。对于使用正性光刻胶及刻蚀工艺的薄膜晶体管(TFT)工艺段，可以减少一次曝光，从而可以提高产能。对于负性光刻胶的隔垫物(PS)工艺段，可以实现不同高度的隔垫物的制备。伴随着显示面板的尺寸逐渐增大，产品边框尺寸并有增大，这就导致显示面板的周边漏光敏感性等越来越差。为改善周边漏光不良的问题，需要在有限空间内增加更多的周边支撑力。受限于阵列基板膜层高度影响，彩膜基板和阵列基板的之间的不同位置的段差也不同，现有技术中的掩膜版只能够实现两种不同高度的隔垫物，这样并无法满足大尺寸显示面板中的阵列基板和彩膜基板的支撑。因此，提供一种能够制备多种不同高度的隔垫物的掩膜版是亟需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种能够提供多种透过率的掩膜版及掩膜装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种掩膜版，包括本体，所述本体具有非曝光区、半曝光区和完全曝光区；在所述半曝光区的部分区域，和/或所述完全曝光区的部分区域设置有光栅结构。优选的是，所述半曝光区设置有半透膜；所述光栅结构设置在所述半透膜上。优选的是，所述光栅结构包括呈阵列排布的多个遮光图案。优选的是，所述遮光图案的材料包括金属。优选的是，所述金属包括：铬。优选的是，所述掩膜版还包括掩膜框架，所述本体固定在所述掩膜框架上；其中，所述光栅结构位于完全曝光区，并固定在所述掩膜框架。优选的是，所述光栅结构包括光栅主体，在所述光栅主体上具有呈阵列排布的多个开口。优选的是，所述光栅主体的材料包括金属。优选的是，所述金属包括：铬。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种掩膜装置，其包括上述的掩膜版。附图说明图1为本专利技术的实施例2的掩膜版的结构示意图；图2为本专利技术的实施例3的掩膜版的结构示意图；图3为本专利技术的实施例3的掩膜版的另一结构示意图。其中附图标记为：1、本体；2、光栅结构；21、遮光图案；22、开口；3、掩膜框架；Q1、完全曝光区；Q2、半曝光区；Q3、非曝光区。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1：本实施例提供一种掩膜版，包括本体，该本体具有非曝光区、半曝光区、完全曝光区；其中，在半曝光区的部分区域，和/或完全曝光区的部分区域设置有光栅结构；在对掩膜版进行光照时，光栅结构所在区域的光线透过率，与掩膜版的其余区域的光线透过率不同。具体的，当在半曝光区的部分区域设置光栅结构时，通过光线照射掩膜版，此时照射至光栅结构的光线发生衍射，以使部分光线被滤除，剩余的光线经过半曝光区的半透膜再被滤除一部分，从而使得光线透过掩膜版的光栅结构所在区域、其余的半曝光区，以及完全曝光区的透过率均不同，进而实现一张掩膜版四种透过率。当在完全曝光区的部分区域设置光栅结构时，通过光线照射掩膜版，此时照射至光栅结构的光线发生衍射，以使部分光线被滤除，从而使得通过光栅结构的光线的透过率与完全曝光区的其余位置，以及半曝光区的透过率均不同，进而实现一张掩膜版四种透过率。当在完全曝光区的部分区域和半曝光区的部分区域均设置光栅结构时，通过光线照射掩膜版，此时照射至光栅结构的光线发生衍射，以使部分光线被滤除，从而使得完全曝光区和半曝光区均具有两种透过率，进而实现一张掩膜版五种透过率。综上，本实施例中所提供的掩膜版较现有的半透膜掩膜版而言具有更多种光线透过率，因此，将本实施例中的掩膜版应用至显示面板中的隔垫物的制备工艺中，可以形成多种(大于两种)高度的隔垫物，从而可以改善由于阵列基板上的段差不同，造成的显示面板周边漏光的问题。实施例2：如图1所示，本实施例提供一种掩膜版，其包括本体1，该本体1具有完全曝光区Q1、半曝光区Q2、非曝光区Q3；其中，在本体1的半曝光区Q2设置有半透膜；光栅结构2设置在半透膜上。通过光线照射掩膜版，此时照射至光栅结构2的光线发生衍射，以使部分光线被滤除，剩余的光线经过半曝光区Q2的半透膜再被滤除一部分，从而使得光线透过掩膜版的光栅结构2所在区域、其余的半曝光区Q2，以及完全曝光区Q1的透过率均不同，进而实现一张掩膜版四种透过率。具体的，光栅结构2包括呈阵列基板排布的多个遮光图案21。任意两相邻的遮光图案21之间具有狭缝，通过设计遮光图案21的尺寸，以及狭缝的宽度，以使光线照射至光栅结构2后发生衍射而滤除部分光线，从而使得半曝光区Q2中具有光栅结构2的位置和其余位置处的光线透过率不同。在此需要说明的是，遮光图案21尺寸的大小，以及狭缝的宽度不同，所对应的光线的透过率也是不同的。其中，遮光图案21的材料可以采用金属，具体可以是铬，当然，遮光图案21的材料也不局限于金属，也可以是其它非透光的材料；而且即使遮光图案21的材料采用金属，也不局限于铬，可以根据具体光线类型需用不同的金属材料。实施例3：如图2所示，本实施例提供了一种掩膜版，包括本体1和用于将本体1固定的掩膜框架3；其中，本体1具有完全曝光区Q1、半曝光区Q2、非曝光区Q3；其中，在本体1的完全曝光区Q1中设置有光栅结构2，该光栅结构2固定在掩膜框架3上。通过光线照射掩膜版，此时照射至光栅结构2的光线发生衍射，以使部分光线被滤除，从而使得通过光栅结构2的光线的透过率与完全曝光区Q1的其余位置，以及半曝光区Q2的透过率均不同，进而实现一张掩膜版四种透过率。其中，光栅结构2包括光栅主体，在光栅主体上设置有多个开口22；当光线照射至开口22所在位置能够发生衍射，以使部分光线被滤除，从而使得完全曝光区Q1具有两种光线透过率。其中光栅主体上的开口22的形状可以是圆形，也可以是狭缝状等，只要能够满足照射至开口22位置的光线能够发生衍射即可。其中，光栅主体的材料包括金属，具体可以是铬，当然，光栅主体的材料也不局限于金属，也可以是其它非透光的材料；而且即使光栅主体的材料采用金属，也不局限于铬，可以根据具体光线类型需用不同的金属材料。当然，如图3所示，在本实施例的掩膜版的基础上，还可以如实施例2一样，在半曝光区Q2的部分半透膜上设置光栅结构2，通过光线照射掩膜版，此时照射至光栅结构2的光线发生衍射，以使部分光线被滤除，从而使得完全曝光区Q1和半曝光区Q2均具有两种透过率，进而实现一张掩膜版五种透过率。实施例4：本实施例中提供一种掩膜装置，该掩膜装置包括实施例1-3中的任一种掩膜版。可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本专利技术的原理而采用的示例性实施方式，然而本专利技术并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本专利技术的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版，包括本体，所述本体具有非曝光区、半曝光区和完全曝光区；其特征在于，在所述半曝光区的部分区域，和/或所述完全曝光区的部分区域设置有光栅结构。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，包括本体，所述本体具有非曝光区、半曝光区和完全曝光区；其特征在于，在所述半曝光区的部分区域，和/或所述完全曝光区的部分区域设置有光栅结构。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半曝光区设置有半透膜；所述光栅结构设置在所述半透膜上。3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述光栅结构包括呈阵列排布的多个遮光图案。4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述遮光图案的材料包括金属。5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述金属包括：铬...

【专利技术属性】
技术研发人员：张春旭，戴珂，江鹏，吴忠厚，张云天，邓亚飞，
申请(专利权)人：合肥京东方显示技术有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34