【技术实现步骤摘要】
光罩防护膜结构及光罩
本专利技术涉及半导体制作领域，尤其涉及一种光罩防护膜结构及光罩。
技术介绍
在半导体制造的整个流程中，光掩膜或称光罩(mask)制造是从版图到晶圆(wafer)制造中间的一个过程。这一部分是流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。光罩是高精密度的石英平板，用来制作芯片上电子电路图像，以利集成电路的制作。所以光罩的制造和保存皆十分严格，才能使精准的光罩得到妥善保存，从而显影后所呈现的电路图像才会符合预定的要求。否则，利用有缺陷或刮伤的光罩进行微影工艺时，不完美的电路图像便会被复制到芯片上，进而使得制造的产品出现问题，浪费生产成本。随着半导体技术的进步，半导体元件的尺寸愈来愈小，集成电路愈来愈精密。而随着微影成像技术的发展，光罩的线幅尺寸(CriticalDimension；CD)已进入0.18微米，甚至是0.13微米以下。然而，具有更精密的线幅尺寸的光罩，意味着制作光罩的成本越加昂贵，所以在保存及应用光罩时需更加小心。一般而言，光罩借着盖于其上的光罩防护膜而得以保护，免于受到外界的伤害及沾上不必要的尘灰。参考图...
【技术保护点】
1.一种光罩防护膜结构，其特征在于，包括：保护膜；环形框架，所述环形框架用于支撑和固定所述保护膜，所述环形框架中具有贯穿环形框架的开口，所述开口中填充满若干具有贯穿孔的过滤膜。
【技术特征摘要】
1.一种光罩防护膜结构，其特征在于，包括：保护膜；环形框架，所述环形框架用于支撑和固定所述保护膜，所述环形框架中具有贯穿环形框架的开口，所述开口中填充满若干具有贯穿孔的过滤膜。2.如权利要求1所述的光罩防护膜结构，其特征在于，所述开口的形状为立方体，每个过滤膜的形状为具有贯穿孔的立方体。3.如权利要求2所述的光罩防护膜结构，其特征在于，若干过滤膜相互堆叠填充满所述开口。4.如权利要求3所述的光罩防护膜结构，其特征在于，所述开口的宽度5～7毫米，开口的高度为5～7毫米。5.如权利要求4所述的光罩防护膜结构，其特征在于，每个过滤膜的宽度250～350纳米，高度为250～350纳米，贯穿孔两边的过滤膜的膜壁的厚度为0...
【专利技术属性】
技术研发人员：方红，姜鹏，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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