用于制造半导体的设备制造技术

一种半导体制造设备包括：具有真空卡盘的传送头，所述真空卡盘构造成真空地保持发光元件芯片；和真空泵，其构造为向所述传送头提供真空压力，其中所述真空卡盘包括多孔材料层和所述多孔材料层上的缓冲层，并且所述缓冲层包括多个突起和真空孔，所述真空孔从所述缓冲层的与所述多孔材料层接触的表面延伸到所述突起的下表面。

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体的设备相关申请的交叉引用本申请要求2017年9月8日提交给韩国知识产权局的题为“用于制造半导体的设备”的韩国专利申请No.10-2017-0115133的优先权，其公开内容通过引用其全部合并于此。
实施例涉及一种用于制造半导体的设备。
技术介绍
发光元件芯片由于其低功耗和高亮度等可以用于各种光源、照明、信号标记和大型显示器。作为图像显示装置，已经使用了使用发光元件芯片阵列的显示装置，在该阵列中发光元件芯片以二维(2D)阵列排列。可以通过以下过程制造该显示装置：在将各个发光元件芯片封装到发光封装件中之后，通过拾取和放置方法将各个发光封装件布置在模块基板上。近来，为了实现大尺寸和高分辨率的显示装置，增加了包括在显示装置中的发光元件芯片的数量。
技术实现思路
各实施例通过提供一种半导体制造设备来实现，该半导体制造设备包括：具有真空卡盘的传送头，所述真空卡盘构造为真空地保持发光元件芯片；以及真空泵，其构造为向所述传送头提供真空压力，其中，所述真空卡盘包括多孔材料层和所述多孔材料层上的缓冲层，并且所述缓冲层包括多个突起和真空孔，所述真空孔从所述缓冲层的与所述多孔材料层接触的表面延伸到所述突起的下表面。各实施例通过提供一种半导体制造设备来实现，该半导体制造设备，包括：传送头，其构造为通过保持第一基板上以第一间距布置的多个第一发光元件芯片之中的选中的第一发光元件芯片来将所述选中的第一发光元件芯片传送至第二基板；以及粘附力控制器，其减小所述第一基板的粘附力，其中，所述粘附力控制器构造为减小所述第一基板的与所述选中的第一发光元件芯片竖直重叠的区域的粘附力，所述传送头构造为通过保持所述选中的第一发光元件芯片将所述选中的第一发光元件芯片传送至所述第二基板，并且所述传送头构造为将所述选中的第一发光元件芯片以比所述第一间距大的第二间距布置在所述第二基板上。各实施例通过提供一种半导体制造设备来实现，该半导体制造设备，包括：第一支撑卡盘，其构造为支撑具有第一膜的第一基板，芯片阵列附接到所述第一膜，所述芯片阵列包括多个发光元件芯片；第二支撑卡盘，其构造为支撑具有第二膜的第二基板，所述第二膜的粘附力比所述第一膜的粘附力大，并且所述第二支撑卡盘布置在所述第一支撑卡盘之上，使得所述第二膜面向所述第一膜；以及卡盘驱动器，其构造为移动所述第一支撑卡盘和所述第二支撑卡盘中的至少一个，使得所述第一膜上的芯片阵列附接到所述第二膜。附图说明通过参考附图详细描述示例性实施例，各特征对于本领域技术人员将是显而易见的，其中：图1示出了根据一些实施例的半导体制造设备的截面图；图2A至图2E示出了通过使用图1的半导体制造设备传送发光元件芯片的过程中的各阶段的截面图；图3A至图3C示出了制造图1的真空卡盘的方法中的各阶段的截面图；图4A和图4B示出了根据一些实施例的半导体制造设备的截面图；图5A和图5B示出了根据一些实施例的半导体制造设备的截面图；图6A和图6B示出了根据一些实施例的半导体制造设备的截面图；图7示出了根据一些实施例的重新布置发光元件芯片的方法的顺序流程图；图8A至图8C示出了与图7的重新布置发光元件芯片的方法相对应的框图；图9示出了根据一些实施例的半导体制造设备的截面图；图10A至图10H示出了通过使用图9的半导体制造设备传送发光元件芯片的过程中的各阶段的截面图；图11示出了根据一些实施例的重新布置发光元件芯片的方法的顺序流程图；图12A至图12C示出了与图11的重新布置发光元件芯片的方法相对应的框图；图13示出了根据本专利技术构思的一些实施例的重新布置发光元件芯片的方法的顺序流程图；图14示出了与图13的重新布置发光元件芯片的方法相对应的框图；以及图15A至图15F示出了根据一些实施例的制造显示装置的方法的顺序流程图。具体实施方式在下文中，参考附图详细描述各实施例。图1示出了根据一些实施例的半导体制造设备100的截面图。参照图1，半导体制造设备100可包括传送头110(用于保持发光元件芯片11)和真空泵140(用于向传送头110提供真空压力)。半导体制造设备100可以是用于将第一基板50上的多个发光元件芯片11传送到与第一基板50不同的第二基板或者将多个发光元件芯片11从第一基板50传送到与第一基板50不同的第二基板的传送设备。传送头110可以同时真空地保持(例如，真空吸附或真空夹持)多个发光元件芯片11，并且可以同时传送已经被真空地保持的发光元件芯片11。在实施方式中，芯片阵列10(其包括以第一间距P1布置的发光元件芯片11)可以附接到第一基板50。传送头110可以选择性地真空吸附第一基板50上的芯片阵列10的一些发光元件芯片11(例如，选定的发光元件芯片)，并且可以将(已经被真空地保持的)发光元件芯片11传送至与第一基板50不同的第二基板。传送头110可以按照比第一间距P1大的第二间距将(已经被真空地保持)发光元件芯片11布置在第二基板上。在实施方式中，第一基板50可以是具有预定粘性的支撑膜以用于固定发光元件芯片11。在实施方式中，第一基板50可以是其上形成有发光元件芯片11的基板，例如半导体基板、玻璃基板、蓝宝石基板或塑料基板。传送头110可包括卡盘框架130和(容纳在卡盘框架130的腔中的)真空卡盘120。真空卡盘120的内部的压力可以由真空泵140控制，因此，真空卡盘120可以通过将在真空卡盘120内部形成的真空压力施加至其下表面来真空地保持发光元件芯片11。真空卡盘120可包括多孔材料层121和(设置在多孔材料层121的表面上的)缓冲层123。多孔材料层121可以是真空泵140形成真空压力或释放真空压力的部分。多孔材料层121可以布置在卡盘框架130的腔内，多孔材料层121的上表面和侧表面可以被卡盘框架130覆盖。在实施方式中，多孔材料层121可以包括陶瓷、氧化铝、莫来石(mullite)或碳化硅或这些材料的组合。在实施方式中，可以确定或选择多孔材料层121的孔径和孔密度，使得可以对发光元件芯片11施加适当的真空压力。可以根据发光元件芯片11的尺寸来控制或选择多孔材料层121的孔径和孔密度。这里，所述孔径可以表示孔的平均直径。在实施方式中，当发光元件芯片11的尺寸(例如，发光元件芯片11的长边的长度)在1μm至300μm的范围内时，孔径可以在约0.1μm至约30μm的范围内。在实施方式中，孔径可以在约0.1μm至约20μm的范围内。在实施方式中，当发光元件芯片11的尺寸(例如，发光元件芯片11的长边的长度)在1μm至300μm的范围内时，可以形成多孔材料层121，使得至少一个孔位于约1μm至约300μm的范围内。在实施方式中，可以形成多孔材料层121，使得至少一个孔位于约50μm至约200μm的范围内。缓冲层123可以布置在多孔材料层121的下表面上，并且可以是传送头110的直接接触发光元件芯片11的部分。缓冲层123可以包括具有预定弹性的材料，当缓冲层123接触发光元件芯片11时，该材料有助于防止发光元件芯片11的损坏。在实施方式中，缓冲层123可包括例如硅树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酯基树脂、特氟隆、聚二甲基硅氧烷(PDMS)或这些材料的组合。缓冲层123可以可拆卸地附接到多孔材料层121。在实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造设备，包括：包括真空卡盘的传送头，所述真空卡盘构造成真空地保持发光元件芯片；以及真空泵，其构造为向所述传送头提供真空压力，其中：所述真空卡盘包括多孔材料层和所述多孔材料层上的缓冲层，并且所述缓冲层包括多个突起和真空孔，所述真空孔从所述缓冲层的与所述多孔材料层接触的表面延伸到所述突起的下表面。

【技术特征摘要】
2017.09.08 KR 10-2017-01151331.一种半导体制造设备，包括：包括真空卡盘的传送头，所述真空卡盘构造成真空地保持发光元件芯片；以及真空泵，其构造为向所述传送头提供真空压力，其中：所述真空卡盘包括多孔材料层和所述多孔材料层上的缓冲层，并且所述缓冲层包括多个突起和真空孔，所述真空孔从所述缓冲层的与所述多孔材料层接触的表面延伸到所述突起的下表面。2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，所述多孔材料层包括孔径在0.1μm至20μm范围内的孔。3.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，所述传送头还包括卡盘框架，所述卡盘框架覆盖所述多孔材料层的侧表面以及所述多孔材料层的一个表面，所述一个表面与所述多孔材料层的与所述缓冲层接触的表面相对。4.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其中，所述传送头构造为通过真空地保持所述发光元件芯片，将支撑膜上的以第一间距布置的多个发光元件芯片传送至中间基板，并且构造为将真空地保持的发光元件芯片以比所述第一间距大的第二间距布置在所述中间基板上。5.根据权利要求4所述的半导体制造设备，还包括：第一激光照射器，其构造为通过照射激光来部分地减小所述支撑膜的粘附力，其中，所述第一激光照射器构造为将激光照射到所述支撑膜的一部分，所述一部分是与所述多个发光元件芯片之中的以所述第二间距布置的第一组发光元件芯片竖直重叠的区域。6.根据权利要求4所述的半导体制造设备，还包括：顶出器，其构造为通过按压所述支撑膜来部分地减小所述支撑膜的粘附力，其中，所述顶出器构造为通过按压所述支撑膜的一部分来进行变形，所述一部分是与所述多个发光元件芯片之中的以所述第二间距布置的第一组发光元件芯片竖直重叠的区域。7.根据权利要求4所述的半导体制造设备，还包括传送设备，其构造为将所述中间基板上的所述发光元件芯片传送到接收基板，其中，所述传送设备包括：第一支撑卡盘，其构造为支撑所述中间基板；第二支撑卡盘，其构造为支撑所述接收基板并且所述第二支撑卡盘布置在所述第一支撑卡盘之上，使得所述接收基板面对所述中间基板；以及卡盘驱动器，其构造为移动所述第一支撑卡盘和所述第二支撑卡盘中的至少一个，使得所述中间基板上的发光元件芯片附接到所述接收基板。8.根据权利要求7所述的半导体制造设备，其中：所述中间基板包括第一膜，并且所述接收基板包括第二膜，所述第二膜的粘附力大于所述第一膜的粘附力。9.根据权利要求7所述的半导体制造设备，其中，所述传送设备还包括第二激光照射器，所述第二激光照射器构造为将激光照射到所述中间基板，使得所述中间基板的粘附力减小。10.根据权利要求7所述的半导体制造设备，其中：所述中间基板包括第一对准标记，所述接收基板包括第二对准标记，所述传送设备还包括视觉传感器，其构造为识别所述第一对准标记和所述第二对准标记，并且所述卡盘驱动器基于所述视觉传感器识别的信息对准所述第一支撑卡盘和所述第二支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炅俊，金时汉，李泰泫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR