一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体制造技术

一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，包括药液槽，所述药液槽内部设有旋转装置；所述药液槽底部设有药液槽进液系统；所述药液槽外部设有循环冷却系统，所述循环冷却系统的进口与所述药液槽连接；所述循环冷却系统的出口与循环泵浦连接，所述循环泵浦与所述药液槽进液系统连接；所述循环冷却系统与设置在所述药液槽旁边的冷水机组冷却连接。本申请的有益效果是：通过药液的外部循环和冷却，保证了药液浓度的均匀性以及药液温度的均匀性；硅片旋转装置的设计，可以使先进入药液进行腐蚀的硅片先被取出，从而保证了各个硅片腐蚀时间的一致，刻蚀深度更均匀，减少刻蚀深度的极差。

【技术实现步骤摘要】
一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体
本申请属于硅片湿法刻蚀
，具体地说，涉及一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体。
技术介绍
GPP是Glassivationpassivationparts的缩写，是玻璃钝化类器件的统称。该产品就是在现有产品普通硅整流扩散片的基础上对拟分割的管芯P/N结面四周烧制一层玻璃，玻璃与单晶硅有很好的结合特性，使P/N结获得最佳的保护，免受外界环境的侵扰，提高器件的稳定性，信赖性极佳。而半导体硅片刻蚀工艺是半导体器件制作过程中的重要工艺。硅片在经过光刻、显影等工艺流程后进行湿法刻蚀。为满足产品品质需要，要求刻蚀形成的沟槽深度具备均匀性，片内、片间及批次间的沟槽深度级差均控制在7μm之内。目前影响刻蚀深度的因素有：1、刻蚀槽腐蚀药液的浓度均匀性；2、刻蚀槽腐蚀药液的温度均匀性；3、硅片与药液接触时间的均匀性。为满足半导体产品对刻蚀深度的级差要求就需要设计人员兼顾考虑以上三点因素。目前市面上的半导体湿法刻蚀设备绝大多数采用静止冷却槽加高速机械抖动的方式进行刻蚀工艺，其存在以下缺点：1、静止槽中缺少药液循环，仅凭机械手抖动搅拌药液难以使药液均匀；2、静止槽中仅依靠四周内置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，包括药液槽，其特征在于：所述药液槽内部设有旋转装置；所述药液槽底部设有药液槽进液系统(3)；所述药液槽外部设有循环冷却系统(6)，所述循环冷却系统(6)的进口与所述药液槽连接；所述循环冷却系统(6)的出口与循环泵浦(7)连接，所述循环泵浦(7)与所述药液槽进液系统(3)连接；所述循环冷却系统(6)与设置在所述药液槽旁边的冷水机组(4)冷却连接。

【技术特征摘要】
1.一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，包括药液槽，其特征在于：所述药液槽内部设有旋转装置；所述药液槽底部设有药液槽进液系统(3)；所述药液槽外部设有循环冷却系统(6)，所述循环冷却系统(6)的进口与所述药液槽连接；所述循环冷却系统(6)的出口与循环泵浦(7)连接，所述循环泵浦(7)与所述药液槽进液系统(3)连接；所述循环冷却系统(6)与设置在所述药液槽旁边的冷水机组(4)冷却连接。2.根据权利要求1所述利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，其特征在于：所述循环泵浦(7)与所述药液槽进液系统(3)之间设有循环过滤器(5)。3.根据权利要求1所述利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，其特征在于：所述循环冷却系统(6)包括一个冷却槽；所述冷却槽与所述药液槽相连；所述冷却槽内均匀设有冷水管路，所述冷水管路的进口和出口均与所述冷水机组(4)相连。4.根据权利要求1-3任一所述利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，其特征在于：所述药液槽进液系统(3)的顶部设有均匀的进液孔。5.根据权利要求1所述利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，其特征在于：所述药液槽的四周内壁上设有药液槽冷却系统(2)，所述药液槽冷却系统(2)与所述冷水机组(4)相连。6.根据权利要求6所述利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，其特征在于：所述药液槽冷却系统(2)包括若干冷却盘，所述冷却盘由冷却盘管路构成，所述冷却盘管路的入口和出口均与所述冷水机组(4)相连。7.根据权利要求1所述利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，其特征在于：所述旋转装置包括分别设置在所述药液槽底部两端的固定架，所述固定架的内侧均设有翻转支座(15)；所述固定架上均设有传动机构，所述传动机构与对应的所述翻转支座(15)固定连接；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐风，甄辉，王彦君，孙晨光，徐长坡，陈澄，梁效峰，杨玉聪，王晓捧，王宏宇，徐艳超，
申请(专利权)人：天津环鑫科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12