一种陶瓷电容芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种陶瓷电容芯片，包括陶瓷基片和导电层，陶瓷基片设置为圆饼状，导电层包括第一导电层和第二导电层；第一导电层附着在陶瓷基片的顶面形成第一平面，第二导电层附着在陶瓷基片底面形成第二平面，第一平面圆心处设有圆形的第一焊接座，第一焊接座的边缘处设有至少一个与第一平面同心的环状凹槽，环状凹槽的外侧设有至少两条拉力筋；相邻两条拉力筋之间设有第一平面凹槽组，第一平面凹槽组包括至少两条沿第一平面径向间隔排列的第一平面条状凹槽。本实用新型专利技术提供的一种陶瓷电容芯片，设置的环状凹槽和条状凹槽，增加了陶瓷电容芯片表面有效面积，有效的增加了陶瓷电容芯片的电容量，提高了效率，节约了能耗。

A Ceramic Capacitor Chip

The utility model discloses a ceramic capacitor chip, which comprises a ceramic substrate and a conductive layer. The ceramic substrate is arranged in the shape of a circular cake, and the conductive layer comprises a first conductive layer and a second conductive layer. The first conductive layer is attached to the top surface of the ceramic substrate to form a first plane, the second conductive layer is attached to the bottom surface of the ceramic substrate to form a second plane, and the first circular welding seat is arranged at the center of the first plane. The edge of the first welding seat is provided with at least one annular groove concentric with the first plane, and the outer side of the annular groove is provided with at least two tension bars; a first plane groove group is arranged between two adjacent tension bars, and the first plane groove group includes at least two first plane strip grooves arranged along the radial interval of the first plane. The utility model provides a ceramic capacitor chip, which has annular grooves and strip grooves, increases the effective surface area of the ceramic capacitor chip, effectively increases the electric capacity of the ceramic capacitor chip, improves the efficiency and saves energy consumption.

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷电容芯片
本技术涉及陶瓷电容
，具体涉及一种陶瓷电容芯片。
技术介绍
传统的陶瓷电容就是在陶瓷电容相对的正反两面利用丝网版平面印刷的电极，但是由于传统陶瓷电容的平面的面积有限，同时容易在印刷过程中出现部分漏印等情况，其电容量则受限于陶瓷电容的平面的有效面积。因此本领域技术人员致力于开发一种高效的、利用率较高的一种陶瓷电容芯片，有效的提高陶瓷电容的电容量，提高其效率，可使产品小型化，降低生产成本。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本技术提供一种陶瓷电容芯片，有效的提高陶瓷电容的电容量，提高其效率，可使产品小型化，降低生产成本。为实现上述目的，本技术提供的一种陶瓷电容芯片，包括陶瓷基片和导电层，所述陶瓷基片设置为圆饼状，所述导电层包括第一导电层和第二导电层；所述第一导电层附着在所述陶瓷基片的顶面形成第一平面，所述第二导电层附着在所述陶瓷基片底面形成第二平面，所述第一平面圆心处设有圆形的第一焊接座，所述第一焊接座的边缘处设有至少一个与所述第一平面同心的环状凹槽，所述环状凹槽的外侧设有至少两条拉力筋，所述拉力筋一端与所述环状凹槽外边缘接触，另一端沿第一平面径向延伸至第一平面边缘。所述相邻两条拉力筋之间设有第一平面凹槽组，所述第一平面凹槽组包括至少两条沿第一平面径向间隔排列的第一平面条状凹槽，所述第一平面条状凹槽两端分别与两条相邻拉力筋接触。进一步地，所述第二平面圆心处设有圆形的第二焊接座，所述第二焊接座的边缘处设有至少一个与所述第二平面同心的环状凹槽，所述环状凹槽的外侧设有至少两条拉力筋，所述拉力筋一端与所述环状凹槽外边缘接触，另一端沿第二平面径向延伸至第二平面边缘。所述相邻两条拉力筋之间设有第二平面凹槽组，所述第二平面凹槽组包括至少两条沿第二平面径向间隔排列的第二平面条状凹槽，所述第二平面条状凹槽两端分别与两条相邻拉力筋接触。所述陶瓷基片和第一导电层之间还设有第一过渡金属层；所述第一过渡金属层附着在所述陶瓷基片顶面上。所述陶瓷基片和第二导电层之间还设有第二过渡金属层；所述第二过渡金属层附着在所述陶瓷基片底面上。进一步地，所述第一平面条状凹槽设置为与所述第一平面同心的弧形条状凹槽。进一步地，所述第二平面条状凹槽设置为与所述第二平面同心的弧形条状凹槽。进一步地，所述第一平面条状凹槽和所述第二平面条状凹槽截面均设置为光滑的凹弧形。本技术的有益效果是：本技术提供了一种陶瓷电容芯片，陶瓷基片上的平面设有弧形的凹槽或者凸起部，使陶瓷电容芯片与外部接触的有效面积增大，有效地提高陶瓷电容芯片的电容量，提高了效率，可使产品小型化，降低生产成本。附图说明图1是本技术一实施例所提供的一种陶瓷电容芯片的俯视图；图2是图1所提供的一种陶瓷电容芯片A-A处的剖视图；图3是图1所提供的一种陶瓷电容芯片的仰视图。具体实施方式下面将结合附图对本技术技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本技术的保护范围。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明：如图1和图2所示，本技术提供了一种陶瓷电容芯片，包括陶瓷基片1和导电层2，陶瓷基片1设置为圆饼状，导电层2包括第一导电层21和第二导电层22；第一导电层21附着在陶瓷基片1的顶面形成第一平面23，第二导电层22附着在陶瓷基片1底面形成第二平面24，第一平面23的圆心处设有圆形的第一焊接座231，第一焊接座231的边缘处设有至少一个与第一平面23同心的环状凹槽232，环状凹槽232的外侧设有至少两条拉力筋233，拉力筋233一端与环状凹槽232外边缘接触，另一端沿第一平面23径向延伸至第一平面23边缘；相邻两条拉力筋233之间设有第一平面凹槽组234，第一平面凹槽组234包括至少两条沿第一平面23径向间隔排列的第一平面条状凹槽235，第一平面条状凹槽235两端分别与两条相邻拉力筋233接触。环状凹槽232和第一平面条形凹槽235用于将陶瓷电容芯片的第一导电层21和第二导电层22与外部接触的有效面积增加，提高陶瓷电容芯片的电容量，拉力筋233用于加强陶瓷电容芯片的强度，使陶瓷电容芯片不易折损。进一步地，第二平面24圆心处设有圆形的第二焊接座241，第二焊接座241的边缘处设有至少一个与第二平面24同心的环状凹槽232，环状凹槽232的外侧设有至少两条拉力筋233，拉力筋233一端与环状凹槽232外边缘接触，另一端沿第二平面24径向延伸至第二平面24边缘；相邻两条拉力筋233之间设有第二平面凹槽组242，第二平面凹槽组242包括至少两条沿第二平面24径向间隔排列的第二平面条状凹槽243，第二平面条状凹槽243两端分别与两条相邻拉力筋233接触。设置的第一焊接座231和第二焊接座241均方便陶瓷电容芯片进行外部焊接，提高陶瓷电容芯片在实际应用中的稳定性。进一步地，陶瓷基片1和第一导电层21之间还设有第一过渡金属层11；此时第一过渡金属层11附着在陶瓷基片1顶面上，第一过渡金属层11的上附着有第一导电层21。陶瓷基片1和第二导电层22之间还设有第二过渡金属12；此时第二过渡金属层12附着在陶瓷基片1底面上，第二过渡金属层12上还附着有第二导电层22。第一过渡金属层11和第二过渡金属层12的设置能够使陶瓷电容芯片的性能更可靠，附着力更好，损耗更小，耐电压更高。其中过渡金属层和导电层的加工可以采用溅金属镀膜法完成加工，这样会进一步提高附着力和电压耐受值。优选的，位于第一平面条状凹槽235可设置为与第一平面23同心的弧形条状凹槽；第二平面条状凹槽243可设置为与第二平面24同心的弧形条状凹槽。第一平面条状凹槽235和第二平面条状凹槽243截面均设置为光滑的凹弧形。将槽的形状设置为光滑的凹弧形，能够防止凹槽之间放电造成电容击穿，影响电容质量可靠性。将第一平面条状凹槽235设置为与第一平面23同心的弧形条状凹槽，能够最大化的增加电容导电层的面积，并且易于加工，减少制造成本。进一步地，在本技术实施例提供的一种陶瓷电容芯片，利用电容量计算公式其中C表示陶瓷电容芯片的电容值，K表示陶瓷基片1(即陶瓷介质层)的介电常数，D表示陶瓷基片1两面电极层的有效面积，T表示陶瓷基片1的厚度。利用在第一平面23和第二平面24上设置弧形的凹槽或者凸起部，设置的弧形凹槽或者凸起部方便制造并且能够有效的增加陶瓷基片1两电极层的面积D增加，使陶瓷电容芯片的电容量C扩大。当陶瓷基片1上的第一平面23和第二平面24均采用弧形凹槽或凸起部时，大幅度地增加了陶瓷电容芯片的表面积。具体地，在陶瓷基片1上设置若干条弧形凹槽或凸起部时，通过计算，与传统陶瓷电容芯片相比，其表面积可增加20％以上，根据公式可以得到，此时同等体积的陶瓷电容芯片的电容量可提高20％以上。从而在同样的电容量的陶瓷电容芯片中可以减小体积，降低生产成本，有效的提高产品性能，在同样的体积的陶瓷电容芯片中，采用本实施例的陶瓷电容芯片，电容量较大。本技术实施例提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷电容芯片，其特征是：包括陶瓷基片(1)和导电层(2)，所述陶瓷基片(1)设置为圆饼状，所述导电层(2)包括第一导电层(21)和第二导电层(22)；所述第一导电层(21)附着在所述陶瓷基片(1)的顶面形成第一平面(23)，所述第二导电层(22)附着在所述陶瓷基片(1)底面形成第二平面(24)，所述第一平面(23)圆心处设有圆形的第一焊接座(231)，所述第一焊接座(231)的边缘处设有至少一个与所述第一平面(23)同心的环状凹槽(232)，所述环状凹槽(232)的外侧设有至少两条拉力筋(233)，所述拉力筋(233)一端与所述环状凹槽(232)外边缘接触，另一端沿第一平面(23)径向向延伸至第一平面(23)边缘；相邻两条所述拉力筋(233)之间设有第一平面凹槽组(234)，所述第一平面凹槽组(234)包括至少两条沿第一平面(23)径向间隔排列的第一平面条状凹槽(235)，所述第一平面条状凹槽(235)两端分别与两条相邻拉力筋(233)接触。

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷电容芯片，其特征是：包括陶瓷基片(1)和导电层(2)，所述陶瓷基片(1)设置为圆饼状，所述导电层(2)包括第一导电层(21)和第二导电层(22)；所述第一导电层(21)附着在所述陶瓷基片(1)的顶面形成第一平面(23)，所述第二导电层(22)附着在所述陶瓷基片(1)底面形成第二平面(24)，所述第一平面(23)圆心处设有圆形的第一焊接座(231)，所述第一焊接座(231)的边缘处设有至少一个与所述第一平面(23)同心的环状凹槽(232)，所述环状凹槽(232)的外侧设有至少两条拉力筋(233)，所述拉力筋(233)一端与所述环状凹槽(232)外边缘接触，另一端沿第一平面(23)径向向延伸至第一平面(23)边缘；相邻两条所述拉力筋(233)之间设有第一平面凹槽组(234)，所述第一平面凹槽组(234)包括至少两条沿第一平面(23)径向间隔排列的第一平面条状凹槽(235)，所述第一平面条状凹槽(235)两端分别与两条相邻拉力筋(233)接触。2.如权利要求1所述的陶瓷电容芯片，其特征是：所述第二平面(24)圆心处设有圆形的第二焊接座(241)，所述第二焊接座(241)的边缘处设有至少一个与所述第二平面(24)同心的环状凹槽(232)，所述环状凹槽(23...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈桥党，唐秋平，李万华，邓志勇，李绪友，
申请(专利权)人：东莞市东邦电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44