The invention discloses an integrated wafer polishing spindle, which comprises a shell, a rotating shaft located in the inner part of the shell, a bearing arranged at both ends of the rotating shaft and a rotating driving device. The rotating shaft transfers the torque to the polishing head through the transition flange of the polishing head. The rotating driving device is located in the inner part of the shell. The rotating driving device can transfer the torque to drive the rotation of the rotating shaft. The inner part of the rotating shaft contains gas passage to transport the gas needed in the polishing head. The invention can solve the problems of incomplete spindle structure and complicated processing technology of internal air passage caused by integrated design of rotor and flange in the prior art, and has transmission air passage inside the spindle to simplify the processing technology of the spindle and reduce the cost of the spindle.
【技术实现步骤摘要】
集成式晶圆抛光主轴
本专利技术属于磨削或抛光装置
，具体涉及一种半导体晶圆抛光主轴装置，包括内部的气路结构和内置旋转驱动。技术背景随着半导体行业的飞速发展,集成电路的特征尺寸不断趋于微细化,因此半导体薄膜表面的高平坦化对器件的高性能、低成本、高成品率有着重要的影响。化学机械平坦化(ChemicalMechanicalPlanarization,CMP)技术是化学作用和机械作用相结合的技术。其工作原理是，首先工件表面材料与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应，生成一层相对容易去除的软质层,然后在抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除该软质层,使工件表面重新裸露出来，随后再进行化学反应,藉此在化学作用过程和机械作用过程的交替进行中完成工件表面抛光。目前，化学机械抛光技术已经发展成集在线量测、在线终点检测、清洗等技术于一体的化学机械抛光技术是集成电路向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物。同时也是晶圆由200mm向300mm乃至更大直径过渡、提高生产率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必需的工艺技术。一个典型的化学机械平坦化设备通常包括多个抛光单元以及...
【技术保护点】
1.一种集成式晶圆抛光主轴，包括壳体(3)、位于壳体内部的转轴(1)、位于转轴(1)两端的轴承(2)、旋转驱动装置(4)，转轴(1)通过抛光头过渡法兰(5)将转矩传递到抛光头上，其特征在于，所述旋转驱动装置(4)位于壳体(3)内部，旋转驱动装置(4)传递转矩带动转轴(1)旋转，转轴(1)内部含输气通道(7)，输送抛光头内部需要的气体。
【技术特征摘要】
1.一种集成式晶圆抛光主轴，包括壳体(3)、位于壳体内部的转轴(1)、位于转轴(1)两端的轴承(2)、旋转驱动装置(4)，转轴(1)通过抛光头过渡法兰(5)将转矩传递到抛光头上，其特征在于，所述旋转驱动装置(4)位于壳体(3)内部，旋转驱动装置(4)传递转矩带动转轴(1)旋转，转轴(1)内部含输气通道(7)，输送抛光头内部需要的气体。2.如权利要求1所述的集成式晶圆抛光主轴，其特征在于，所述输气通道(7)、转轴(1)以及抛光头过渡法兰(5)是相互独立分离设置的。3.如权利要求1所述的集成式晶圆抛光主轴，其特征在于，转轴(1)的顶部设置旋转接头(8)，其通过输气通...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾海洋，古枫，杨思远，张志军，
申请(专利权)人：杭州众硅电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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