【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于化学机械抛光，尤其是涉及一种抛光垫沟槽在线修整方法及装置。
技术介绍
1、减薄与平坦化技术是晶圆加工过程中必不可少的工序，在集成电路 (ic)制造中，已成为与光刻、刻蚀等技术同等重要、且相互依赖的不可缺少的技术，是提高生产效率、降低成本的晶圆全局平坦化关键技术。减薄技术有很多种，如磨削、抛光、干式抛光、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子辅助化学腐蚀和常压等离子腐蚀等。平坦化技术包含化学机械平坦化、电化学机械平坦化等。
2、抛光设备可用于减薄和平坦化技术。抛光设备主流技术是应用机械抛光，或者机械抛光与其他如化学、电化学等结合的方式完成晶圆抛光作业。抛光工艺过程中，晶圆持续受抛光头、抛光垫、抛光液等共同作用实现抛光，因此抛光头、抛光垫、抛光液属于长期主要的消耗品，并对晶圆的抛光成品率会产生直接影响。
3、在批量生产半导体过程中，提高成品率及降低消耗成本是企业最为重点关注的两个条件。其中抛光垫即成为本专利技术重点讨论的对象，目前，抛光设备上抛光垫仍是更换频率高、消耗大、利用率低，影响生产成本的关键零件。
...【技术保护点】
1.一种抛光垫沟槽在线修整方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的抛光垫沟槽在线修整方法，其特征在于：还包括以下步骤，其在步骤S6和S11之间，
3.根据权利要求2所述的抛光垫沟槽在线修整方法，其特征在于：所述步骤S3中，目标圆形沟槽到工作台旋转中心的距离为R，刀具的刀尖到载具头旋转中心的距离为Lt，载具头旋转中心到摆臂摆动中心的距离为La，摆臂摆动中心到工作台旋转中心的距离为Ls，摆臂摆动中心和工作台旋转中心的连线与处于初始位置摆臂的夹角为θmax，根据所述θmax、Ls、La、Lt、R确定转动角度α。
4.根据...
【技术特征摘要】
1.一种抛光垫沟槽在线修整方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的抛光垫沟槽在线修整方法，其特征在于：还包括以下步骤，其在步骤s6和s11之间，
3.根据权利要求2所述的抛光垫沟槽在线修整方法，其特征在于：所述步骤s3中，目标圆形沟槽到工作台旋转中心的距离为r，刀具的刀尖到载具头旋转中心的距离为lt，载具头旋转中心到摆臂摆动中心的距离为la，摆臂摆动中心到工作台旋转中心的距离为ls，摆臂摆动中心和工作台旋转中心的连线与处于初始位置摆臂的夹角为θmax，根据所述θmax、ls、la、lt、r确定转动角度α。
4.根据权利要求2所述的抛光垫沟槽在线修整方法，其特征在于：所述步骤s4中，目标圆形沟槽到工作台旋转中心的距离为r，刀具的刀尖到载具头旋转中心的距离为lt，载具头旋转中心到摆臂摆动中心...
【专利技术属性】
技术研发人员：周远鹏，喻康，
申请(专利权)人：杭州众硅电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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