The invention discloses a general method for monitoring ion beam distribution. This method receives ion beam through a two-dimensional Faraday array (1). The channel selection control circuit (3) controls the channel selection circuit (2) realizes one-to-one selection of small Faraday cups (6). The I/V conversion circuit (4) converts ion ion beam current into voltage signal for the controller (5) acquisition, and the controller (5) integrates information. It can monitor the shape and distribution of ion beam. This method can monitor the distribution and state changes of ion beam, improve the real-time and observability of beam detection, and realize a beam acquisition circuit for several small Faraday cups (6), which greatly simplifies the acquisition and conversion circuit. The invention relates to an ion implantation device, which belongs to the field of semiconductor manufacturing.
【技术实现步骤摘要】
一种通用的监测离子束流分布的方法
本专利技术涉及一种半导体装备制造领域，特别涉及一种离子注入机监测离子束流分布的方法。
技术介绍
随着半导体集成电路制造工艺的发展，对半导体制造设备的性能提出更高要求。离子束注入机是半导体器件制造中核心的搀杂设备，当晶圆片尺寸进入300mm时代，器件制造工艺迈入特征尺寸22nm以下，为了保证整个晶圆片上器件性能的一致性，必须对离子注入搀杂工艺中的均匀性指标提出更高的要求。因此，实时并精确检测离子注入束流的形状和分布变得尤为重要。本专利技术基于上述需求，提出一种通用的监测离子束流分布的方法，实现了对离子束流形状及分布的监测。
技术实现思路
本专利技术是针对现有的离子注入机技术中，提出了一种新的离子束流分布监测方法，对离子束流分布的确定及状态诊断提供直接可观化的处理。本专利技术通过以下方案实现：1.一种通用的监测离子束流分布的方法。其特征在于：利用一个二维法拉第阵列(1)接收离子束流，通过通道选择控制电路(3)控制通道选择电路(2)实现逐一对小法拉第杯(6)进行选通，I/V转换电路(4)将离子束流转换为电压信号供控制器(5)采集，控制器(5...
【技术保护点】
1.一种通用的监测离子束流分布的方法，其特征在于：利用一个二维法拉第阵列(1)接收离子束流，通过通道选择控制电路(3)控制通道选择电路(2)实现逐一对小法拉第杯(6)进行选通，I/V转换电路(4)将离子束流转换为电压信号供控制器(5)采集，控制器(5)通过信息整合，实现监测离子束流分布的功能。
【技术特征摘要】
1.一种通用的监测离子束流分布的方法，其特征在于：利用一个二维法拉第阵列(1)接收离子束流，通过通道选择控制电路(3)控制通道选择电路(2)实现逐一对小法拉第杯(6)进行选通，I/V转换电路(4)将离子束流转换为电压信号供控制器(5)采集，控制器(5)通过信息整合，实现监测离子束流分布的功能。2.一种通用的监测离子束流分布的方法，其特征在于：二维法拉第阵列(1)由多个小矩形法拉第杯在X和Y方向进行等距规律的紧密排列构成，当离子束流投射到二维法拉第阵列时，能够实时的通过每一个小矩形法拉第杯(6)采集束流的局部信息。3.一种通用的监测离子束流分布的方法，其特征在于：通道选择控制电路(3)为通道选择电路(2)提供控制逻辑，保证二维法拉第阵列(1)上的小法拉第杯(6)按...
【专利技术属性】
技术研发人员：田龙，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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