本实用新型专利技术公开的的是一种半导体化学清洗设备，包括柜体，该柜体分隔为上柜室和下柜室，所述上柜室的底面设有左、右收集槽，所述左收集槽内设有浸泡槽，该浸泡槽的大小小于左收集槽的大小，所述右收集槽内设有清洗槽，该清洗槽的大小小于右收集槽的大小，所述浸泡槽的内侧面环设有从下往上依次叠加的冷却水管，该冷却水管的进水端和出水端均伸出上柜室外，所述左收集槽的底面设有第一出液口，所述下柜室内设有与第一出液口连通的第一出液管，该第一出液管的出液口的正下方设有回收桶，所述右收集槽的一侧面底部设有第二出液口，该第二出液口与一回收管连通，所述清洗槽的上方设有进水管，所述上柜室的顶面设有与其内部连通的吸酸器。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体化学清洗设备
本技术涉及一种清洗设备，具体的说是指一种半导体化学清洗设备。
技术介绍
单晶硅，是硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，其在不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。当前，单晶硅产品在生产时需要对其进行化学抛光，也就是先用酸液体浸泡，然后在用清水进行清洗。目前的单晶硅产品在化学抛光时是在一个柜子上完成清洗作业的，即在柜子上放置一个浸泡槽和一个清洗槽，单晶硅产品浸泡后在移至清洗槽进行清洗，清洗完成后再将单晶硅产品取出，但是在单晶硅产品从浸泡槽移至清洗槽的过程中酸液体会滴落至柜子上，在从清洗槽取出时，清洗液也会滴落至柜子上，且清洗液中也含有酸成分，而滴落至柜子上的酸液体又很容易流动，一旦接触到工作人员，将会对工作人员的皮肤造成伤害。
技术实现思路
本技术提供的是一种半导体化学清洗设备，其主要目的在于克服现有单晶硅产品在化学抛光时酸液体会对工作人员造成伤害的问题。为了解决上述的技术问题，本技术采用如下的技术方案予以实现：一种半导体化学清洗设备，包括柜体，所述柜体分隔为上柜室和下柜室，所述上柜室的底面设有左收集槽和右收集槽，所述左收集槽内设有浸泡槽，该浸泡槽的大小小于左收集槽的大小，所述右收集槽内设有清洗槽，该清洗槽的大小小于右收集槽的大小，所述浸泡槽的内侧面环设有从下往上依次叠加的冷却水管，该冷却水管的进水端和出水端均伸出上柜室外，所述左收集槽的底面设有第一出液口，所述下柜室内设有与第一出液口连通的第一出液管，该第一出液管的出液口的正下方设有回收桶，所述右收集槽的一侧面底部设有第二出液口，该第二出液口与一回收管连通，所述清洗槽的上方设有进水管，所述上柜室的顶面设有与其内部连通的吸酸器，所述上柜室的前侧面和下柜室的前侧面均设有可推拉的柜门。进一步的，所述上柜室的一侧面开设有气压调节口，该气压调节口的前侧设有上、下布置的两前连接耳，该气压调节口的后侧设有上、下布置的两后连接耳，排列在上的前连接耳和后连接耳之间设有转动杆，排列在下的前连接耳和后连接耳之间设有固定杆，所述气压调节口内设有与其相适配的调节板，该调节板的外侧面设有两前、后对称布置的凸耳，所述转动杆穿过两凸耳，所述固定杆位于调节板的外侧。进一步的，所述浸泡槽呈方形，该浸泡槽的内部四角均固设有竖板，该竖板开设有多个从下往上依次布置的多个通孔，所述冷却水管的出水端从上往下依次穿过每个竖板的通孔。进一步的，所述进水管设有两条，其中一条为纯净水进水管，另一条为普通水进水管。进一步的，所述下柜室内设有用于支撑左收集槽和右收集槽的支撑柱。由上述对本技术的描述可知，和现有技术相比，本技术具有如下优点：本技术结构新颖、设计巧妙，当单晶硅产品从浸泡槽移至清洗槽的过程中酸液体直接滴落至左收集槽内，少部分滴落至右收集槽内，单晶硅产品从清洗槽取出的过程中，含有酸液体的清洗液滴落至右收集槽内，左收集槽内的酸液体经第一出液口和第一出液管流至回收桶内，右收集槽内的清洗液经第二出液口和回收管流至污水处理池。本技术经过改进后可以尽量将酸液体和清洗液进行回收，在做好资源重新利用的情况下又避免了对工作人员造成的伤害。附图说明图1为本技术的主视示意图。图2为本技术的左视示意图。图3为本技术竖板的主视示意图。具体实施方式参照图1。一种半导体化学清洗设备，包括柜体1，该柜体分隔为上柜室2和下柜室3。所述上柜室2的底面设有左收集槽4和右收集槽5，所述左收集槽4内设有浸泡槽6，该浸泡槽6的大小小于左收集槽4的大小，所述右收集槽5内设有清洗槽7，该清洗槽7的大小小于右收集槽5的大小。所述浸泡槽6的内侧面环设有从下往上依次叠加的冷却水管8，该冷却水管8的进水端和出水端均伸出上柜室2外。所述左收集槽4的底面设有第一出液口41，所述下柜室3内设有与第一出液口41连通的第一出液管9，该第一出液管9的出液口的正下方设有回收桶10，所述右收集槽5的一侧面底部设有第二出液口51，该第二出液口51与一回收管11连通，所述清洗槽7的上方设有进水管12。所述上柜室2的顶面设有与其内部连通的吸酸器13，所述上柜室2的前侧面和下柜室3的前侧面均设有可推拉的柜门14。参照图1。当单晶硅产品从浸泡槽6移至清洗槽7的过程中酸液体直接滴落至左收集槽4内，少部分滴落至右收集槽5内，单晶硅产品从清洗槽7取出的过程中，含有酸液体的清洗液滴落至右收集槽5内，左收集槽4内的酸液体经第一出液口41和第一出液管9流至回收桶10内，右收集槽5内的清洗液经第二出液口51和回收管11流至污水处理池。由于单晶硅产品与酸液体反应时会产生热量，所述冷却水管8为酸液体进行冷却，所述吸酸器13用于吸收挥发的酸气体，并排喷淋塔内进行处理。参照图1和图2。所述上柜室2的一侧面开设有气压调节口21，该气压调节口21的前侧设有上、下布置的两前连接耳22，该气压调节口21的后侧设有上、下布置的两后连接耳23，排列在上的前连接耳22和后连接耳23之间设有转动杆24，排列在下的前连接耳22和后连接耳23之间设有固定杆25。所述气压调节口21内设有与其相适配的调节板15，该调节板15的外侧面设有两前、后对称布置的凸耳16，所述转动杆24穿过两凸耳16，所述固定杆25位于调节板15的外侧。由于吸酸器13会产生较大的吸力，所述调节板15可以通过转动调节气压调节口21的大小，以此来调节上柜室2内的气压，避免上柜室2内产生负压并将推拉门14吸成凹陷状。参照图1和图3。所述浸泡槽6呈方形，该浸泡槽的内部四角均固设有竖板17，该竖板17开设有多个从下往上依次布置的多个通孔171，所述冷却水管8的出水端从上往下依次穿过每个竖板17的通孔，四个竖板17用于供冷却水管8穿过，使得冷却水管8上、下依次叠加。所述进水管12设有两条，其中一条为纯净水进水管，另一条为普通水进水管。所述下柜室3内设有用于支撑左收集槽4和右收集槽4的支撑柱18。上述仅为本技术的具体实施方式，但本技术的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本技术进行非实质性的改动，均应属于侵犯本技术保护范围的行为。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体化学清洗设备，包括柜体，其特征在于：所述柜体分隔为上柜室和下柜室，所述上柜室的底面设有左收集槽和右收集槽，所述左收集槽内设有浸泡槽，该浸泡槽的大小小于左收集槽的大小，所述右收集槽内设有清洗槽，该清洗槽的大小小于右收集槽的大小，所述浸泡槽的内侧面环设有从下往上依次叠加的冷却水管，该冷却水管的进水端和出水端均伸出上柜室外，所述左收集槽的底面设有第一出液口，所述下柜室内设有与第一出液口连通的第一出液管，该第一出液管的出液口的正下方设有回收桶，所述右收集槽的一侧面底部设有第二出液口，该第二出液口与一回收管连通，所述清洗槽的上方设有进水管，所述上柜室的顶面设有与其内部连通的吸酸器，所述上柜室的前侧面和下柜室的前侧面均设有可推拉的柜门。
【技术特征摘要】
1.一种半导体化学清洗设备，包括柜体，其特征在于：所述柜体分隔为上柜室和下柜室，所述上柜室的底面设有左收集槽和右收集槽，所述左收集槽内设有浸泡槽，该浸泡槽的大小小于左收集槽的大小，所述右收集槽内设有清洗槽，该清洗槽的大小小于右收集槽的大小，所述浸泡槽的内侧面环设有从下往上依次叠加的冷却水管，该冷却水管的进水端和出水端均伸出上柜室外，所述左收集槽的底面设有第一出液口，所述下柜室内设有与第一出液口连通的第一出液管，该第一出液管的出液口的正下方设有回收桶，所述右收集槽的一侧面底部设有第二出液口，该第二出液口与一回收管连通，所述清洗槽的上方设有进水管，所述上柜室的顶面设有与其内部连通的吸酸器，所述上柜室的前侧面和下柜室的前侧面均设有可推拉的柜门。2.如权利要求1所述的一种半导体化学清洗设备，其特征在于：所述上柜室的一侧面开设有气压调节口，该气压...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘连胜，潘一鸣，戴伟鹏，
申请(专利权)人：福建精工半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35
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