芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种芯片的制造方法，其能够在不使用扩展片的情况下对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。本发明专利技术的芯片的制造方法包括：激光加工步骤，沿着分割预定线仅对芯片区域照射具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束，沿着芯片区域的分割预定线形成改质层，并且将外周剩余区域作为未形成改质层的增强部；以及分割步骤，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片，在分割步骤中，赋予超声波振动而将被加工物分割成各个芯片。

【技术实现步骤摘要】
芯片的制造方法
本专利技术涉及芯片的制造方法，对板状的被加工物进行分割来制造出多个芯片。
技术介绍
为了将以晶片为代表的板状的被加工物(工件)分割成多个芯片，已知有使具有透过性的激光束会聚在被加工物的内部，形成因多光子吸收而被改质的改质层(改质区域)的方法(例如参见专利文献1)。改质层比其他区域脆，因而通过在沿着分割预定线(间隔道)形成改质层之后对被加工物施加力，能够以该改质层为起点将被加工物分割成多个芯片。在对形成有改质层的被加工物施加力时，例如采用将具有伸展性的扩展片(扩展带)贴在被加工物上来进行扩展的方法(例如参见专利文献2)。在该方法中，通常在照射激光束而在被加工物中形成改质层之前将扩展片粘贴在被加工物上，其后在形成改质层后对扩展片进行扩展，将被加工物分割成多个芯片。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-192370号公报专利文献2：日本特开2010-206136号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，在上述那样的对扩展片进行扩展的方法中，使用后的扩展片无法再次使用，因而芯片的制造所需要的费用也容易增高。特别是在芯片上不容易残留粘接材料的高性能的扩展片的价格也很高昂，因而在使用这样的扩展片时，芯片的制造所需要的费用也会增高。本专利技术是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供一种芯片的制造方法，其能够在不使用扩展片的情况下对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。用于解决课题的手段根据本专利技术的一个方式，提供一种芯片的制造方法，其从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的被加工物制造出多个芯片，所述芯片区域通过交叉的多条分割预定线划分成将要成为芯片的多个区域，该制造方法具备下述步骤：保持步骤，利用保持工作台直接保持被加工物；激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束的聚光点定位在该保持工作台所保持的被加工物的内部的方式沿着该分割预定线仅对被加工物的该芯片区域照射该激光束，沿着该芯片区域的该分割预定线形成改质层，并且将该外周剩余区域作为未形成改质层的增强部；搬出步骤，在实施了该激光加工步骤之后，将被加工物从该保持工作台搬出；以及分割步骤，在实施了该搬出步骤之后，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个该芯片，在该分割步骤中，赋予超声波振动而将被加工物分割各个该芯片。在本专利技术的一个方式中，也可以是，在实施了该激光加工步骤之后且在实施该分割步骤之前，进一步具备除去该增强部的增强部除去步骤。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，该保持工作台的上表面由柔软的材料构成，在该保持步骤中，利用该柔软的材料保持被加工物的正面侧。专利技术效果在本专利技术的一个方式的芯片的制造方法中，在利用保持工作台直接保持被加工物的状态下，仅对被加工物的芯片区域照射激光束而形成沿着分割预定线的改质层，其后赋予超声波振动而将被加工物分割成各个芯片，因而无需使用扩展片来对被加工物施加力而将其分割成各个芯片。这样，根据本专利技术的一个方式的芯片的制造方法，能够在不使用扩展片的情况下对作为板状被加工物的被加工物进行分割而制造出多个芯片。另外，在本专利技术的一个方式的芯片的制造方法中，仅对被加工物的芯片区域照射激光束而形成沿着分割预定线的改质层，并且将外周剩余区域作为未形成改质层的增强部，因而芯片区域通过该增强部而被增强。从而，不会由于搬运等时所施加的力将被加工物分割成各个芯片，能够适当地搬运被加工物。附图说明图1是示意性示出被加工物的构成例的立体图。图2是示意性示出激光加工装置的构成例的立体图。图3的(A)是用于说明保持步骤的截面图，图3的(B)是用于说明激光加工步骤的截面图。图4的(A)是示意性示出激光加工步骤后的被加工物的状态的俯视图，图4的(B)是示意性示出激光加工步骤后的被加工物的状态的截面图。图5的(A)和图5的(B)是用于说明增强部除去步骤的截面图。图6的(A)和图6的(B)是用于说明分割步骤的截面图。图7是用于说明变形例的保持步骤的截面图。图8的(A)是用于说明变形例的分割步骤的截面图，图8的(B)是示意性示出通过变形例的分割步骤对芯片区域进行分割前的被加工物的状态的俯视图。具体实施方式参照附图对本专利技术的一个方式的实施方式进行说明。本实施方式的芯片的制造方法包括保持步骤(参照图3的(A))、激光加工步骤(参照图3的(B)、图4的(A)和图4的(B))、搬出步骤、增强部除去步骤(参照图5的(A)和图5的(B))以及分割步骤(参照图6)。在保持步骤中，利用卡盘工作台(保持工作台)直接保持具有芯片区域和围绕芯片区域的外周剩余区域的被加工物(工件)，所述芯片区域通过分割预定线划分成多个区域。在激光加工步骤中，照射具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束，在芯片区域形成沿着分割预定线的改质层(改质区域)，并且将外周剩余区域作为未形成改质层的增强部。在搬出步骤中，从保持工作台搬出被加工物。在增强部除去步骤中，从被加工物除去增强部。在分割步骤中，赋予超声波振动而将被加工物分割成多个芯片。以下对本实施方式的芯片的制造方法进行详细说明。图1是示意性示出本实施方式中使用的被加工物(工件)11的构成例的立体图。如图1所示，被加工物11为由例如硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等半导体；蓝宝石(Al2O3)、钠玻璃、硼硅酸玻璃、石英玻璃等电介质(绝缘体)；或钽酸锂(LiTa3)、铌酸锂(LiNb3)等铁电体(铁电体结晶)形成的圆盘状的晶片(基板)。被加工物11的正面11a侧利用交叉的多条分割预定线(间隔道)13划分成将要成为芯片的多个区域15。需要说明的是，在下文中，将包含全部的将要成为芯片的多个区域15的大致圆形的区域称为芯片区域11c，将围绕芯片区域11c的环状的区域称为外周剩余区域11d。在芯片区域11c内的各区域15，根据需要形成IC(集成电路，IntegratedCircuit)、MEMS(微机电系统，MicroElectroMechanicalSystems)、LED(发光二极管，LightEmittingDiode)、LD(激光二极管，LaserDiode)、光电二极管(Photodiode)、SAW(声表面波，SurfaceAcousticWave)滤波器、BAW(体声波，BulkAcousticWave)滤波器等器件。通过沿着分割预定线13对该被加工物11进行分割，得到多个芯片。具体地说，在被加工物11为硅晶片的情况下，得到例如作为存储器或传感器等发挥功能的芯片。在被加工物11为砷化镓基板、磷化铟基板、氮化镓基板的情况下，得到例如作为发光元件或受光元件等发挥功能的芯片。在被加工物11为碳化硅基板的情况下，得到例如作为功率器件等发挥功能的芯片。在被加工物11为蓝宝石基板的情况下，得到例如作为发光元件等发挥功能的芯片。在被加工物11为由钠玻璃、硼硅酸玻璃、石英玻璃等形成的玻璃基板的情况下，得到例如作为光学部件或罩部件(玻璃罩)发挥功能的芯片。在被加工物11为由钽酸锂、铌酸锂等铁电体形成的铁电体基板(铁电体结晶基板)的情况下，得到例如作为滤波器或致动器等发挥功能的芯片。需要说明的是，对于被加工物11的材质、形状、结构、尺寸、厚度等没有限制。同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片的制造方法，其从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的被加工物制造出多个芯片，所述芯片区域通过交叉的多条分割预定线划分成将要成为该芯片的多个区域，该制造方法的特征在于，其具备下述步骤：保持步骤，利用保持工作台直接保持被加工物；激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束的聚光点定位在该保持工作台所保持的被加工物的内部的方式沿着该分割预定线仅对被加工物的该芯片区域照射该激光束，沿着该芯片区域的该分割预定线形成改质层，并且将该外周剩余区域作为未形成改质层的增强部；搬出步骤，在实施了该激光加工步骤之后，将被加工物从该保持工作台搬出；以及分割步骤，在实施了该搬出步骤之后，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个该芯片，在该分割步骤中，赋予超声波振动而将被加工物分割成各个该芯片。

【技术特征摘要】
2017.07.24 JP 2017-1429101.一种芯片的制造方法，其从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的被加工物制造出多个芯片，所述芯片区域通过交叉的多条分割预定线划分成将要成为该芯片的多个区域，该制造方法的特征在于，其具备下述步骤：保持步骤，利用保持工作台直接保持被加工物；激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，按照将具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束的聚光点定位在该保持工作台所保持的被加工物的内部的方式沿着该分割预定线仅对被加工物的该芯片区域照射该激光束，沿着该芯片区域的该分割...

【专利技术属性】
技术研发人员：淀良彰，赵金艳，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP