场效应晶体管及存储记忆体制造技术

本实用新型专利技术公开了一种场效应晶体管及存储记忆体。所述场效应晶体管包括源极、漏极、沟道区、第一栅极和至少一第二栅极，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述第一栅极设置在沟道区上，且所述第一栅极与沟道区之间设置有介质层，所述至少一个第二栅极与所述沟道区配合形成用以存储电荷的结。较之现有技术，本实用新型专利技术提供的场效应晶体管结构更为简单，占用空间更少，且制作工艺步骤简化，可以与现有的晶体管制作工艺兼容，成本低廉，并且可以实现单器件存储器，因此在计算机等领域有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管及存储记忆体
本技术涉及一种场效应晶体管，特别是一种具有改良结构的场效应晶体管及其在制备存储记忆体中的应用，属于半导体

技术介绍
目前，在多种具有数据处理能力的装置，如个人计算机、智能手机等设备中，半导体存储元件被广泛使用。其中一种重要的数据存储元件是DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即动态随机存取存储器。请参阅图1所示，现有的DRAM的基本单元通常包括一场效应晶体管101’和一电容102’。为了保持数据，DRAM使用电容存储，但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新(预充电)。而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升(频障)，这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种场效应晶体管及存储记忆体，以克服现有技术中的不足。为实现前述专利技术目的，本技术采用的技术方案包括：本技术实施例提供了一种场效应晶体管，包括源极、漏极、沟道区和第一栅极，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述第一栅极设置在沟道区上，且所述第一栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场效应晶体管，包括源极、漏极、沟道区和第一栅极，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述第一栅极设置在沟道区上，且所述第一栅极与沟道区之间设置有介质层；其特征在于：所述场效应晶体管还包括至少一个第二栅极，所述至少一个第二栅极与所述沟道区配合形成用以存储电荷的结。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，包括源极、漏极、沟道区和第一栅极，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述第一栅极设置在沟道区上，且所述第一栅极与沟道区之间设置有介质层；其特征在于：所述场效应晶体管还包括至少一个第二栅极，所述至少一个第二栅极与所述沟道区配合形成用以存储电荷的结。2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述场效应晶体管包括导电区，所述导电区作为所述第二栅极与所述沟道区配合形成所述的结。3.如权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于：所述第二栅极与所述沟道区之间设置有绝缘层和/或缓冲层。4.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述场效应晶体管还包括与所述第二栅极配合的半导体区。5.如权利要求4所述的场效应晶体管，其特征在于：所述半导体区与第二栅极之间设置有绝缘层。6.如权利要求4或5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴明志，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：新型
国别省市：浙江,33