半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包含鳍结构，其设置于基底上且沿着一方向水平延伸，以及栅极部件，其包含栅极介电层和至少一第一金属栅极层覆盖栅极介电层，其中栅极介电层和第一金属栅极层跨过鳍结构，以覆盖鳍结构的中央部分，且更沿着前述方向延伸，以覆盖鳍结构的至少一侧边部分，侧边部分位于栅极部件的侧壁的垂直投影之外。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本公开实施例涉及半导体装置，具体涉及鳍式场效晶体管的半导体装置。
技术介绍
集成电路(Integratedcircuits，IC’s)通常包含大量的元件，特别是晶体管。其中一种晶体管为金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect-transistor，MOSFET)。金属氧化物半导体场效晶体管装置通常包含栅极结构在半导体基底的顶上。在栅极结构的两侧进行掺杂，以形成源极和漏极区。在源极和漏极区之间于栅极底下形成沟道。根据施加于栅极的电压偏压(voltagebias)，可容许或禁止电流流过沟道。在一些情况中，可以类似鳍结构的形式(本文称为「鳍」)形成沟道。这样的鳍突出基底的顶面，且垂直于形成在基底和鳍上的栅极结构。一般而言，使用这样的鳍作为沟道的场效晶体管称为鳍式场效晶体管(finfield-effect-transistor，FinFET)。传统的取代栅极工艺通常用于制造这样的鳍式场效晶体管的栅极部件。传统的取代栅极工艺通常包含在鳍的中央部分上形成虚设栅极，使虚设栅极产生空隙，用栅极介电层(例如高介电常数介电材料)再本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：一鳍结构，设置于一基底上，沿着一方向水平延伸；以及一栅极部件，横越该鳍结构，以覆盖该鳍结构的一中央部分，且更沿着该方向延伸，以覆盖该鳍结构的至少一侧边部分，且该侧边部分位于该栅极部件的一侧壁的一垂直投影以外。

【技术特征摘要】
2017.07.18 US 15/652,6731.一种半导体装置，包括：一鳍结构，设置于一基底上，沿着一方向水平延...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈冠杰，林志雄，张嘉德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71