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半导体装置包含鳍结构，其设置于基底上且沿着一方向水平延伸，以及栅极部件，其包含栅极介电层和至少一第一金属栅极层覆盖栅极介电层，其中栅极介电层和第一金属栅极层跨过鳍结构，以覆盖鳍结构的中央部分，且更沿着前述方向延伸，以覆盖鳍结构的至少一侧边部...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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