半导体元件结构及其制造方法技术

提供具有缩小的栅极端宽度的栅极结构的半导体元件结构及其制造方法。在一例子中，半导体元件结构包含数个栅极结构形成在数个鳍状结构上。栅极结构实质上垂直鳍状结构。栅极结构包含具有第一栅极端宽度的第一栅极结构以及具有第二栅极端宽度的第二栅极结构。其中，第二栅极端宽度小于第一栅极端宽度。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件结构及其制造方法
本揭露实施例是有关于一种半导体元件结构及其制法，且特别是有关于一种具有缩小的栅极端宽度的栅极结构的半导体元件结构及其制法。
技术介绍
可靠地制造次半微米(sub-halfmicron)以及更小的特征结构为半导体元件的下一代超大型集成电路(verylargescaleintegration，VLSI)以及极大型集成电路(ultralarge-scaleintegration，ULSI)的关键技术挑战之一。然而，随着电路技术的限制的推进，超大型集成电路及极大型集成电路技术的微缩尺寸对处理能力有额外的需求。在基材上可靠地形成栅极结构对超大型集成电路及极大型集成电路的成功、以及对后续努力增加电路密度及个别基材与晶粒的品质而言是重要的。随着半导体工业发展到追求较高元件密度、较高性能、以及较低成本的纳米技术制程节点，来自制造和设计的挑战推进了三维设计的发展，例如鳍式场效晶体管(FinFET)。一般的鳍式场效晶体管形成有从基材延伸的鳍状结构，其例如通过蚀刻至基材的硅层中而形成。场效晶体管的通道形成于此垂直的鳍中。提供栅极结构于鳍结构的上方(例如位于其上且包覆)。在通道的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件结构，其特征在于，该半导体元件结构包含：多个栅极结构，形成在多个鳍状结构上，所述多个栅极结构垂直所述多个鳍状结构，其中所述多个栅极结构包含：一第一栅极结构，具有一第一栅极端宽度；以及一第二栅极结构，具有一第二栅极端宽度，其中该第二栅极端宽度小于该第一栅极端宽度。

【技术特征摘要】
2017.07.17 US 15/651,7491.一种半导体元件结构，其特征在于，该半导体元件结构包含：多个栅极结构，形成在多个鳍状结构上，所述多个栅极结构垂直所述多个鳍状结构，其中所述多个栅极结构包含：一第一栅极结构，具有一第一栅极端宽度；以及一第二栅极结构，具有一第二栅极端宽度，其中该第二栅极端宽度小于该第一栅极端宽度。2.根据权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，该第二栅极端宽度比该第一栅极端宽度小20％到60％。3.根据权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，该第一栅极端宽度是定义在该第一栅极结构的一端部与设置在邻近该第一栅极结构的该端部的该鳍状结构之间，该第二栅极端宽度是定义在该第二栅极结构的一端部与设置在邻近该第二栅极结构的该端部的该鳍状结构之间。4.根据权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，一合并功函数金属层是形成在该第二栅极端宽度所定义的一区域中。5.根据权利要求4所述的半导体元件结构，其特征在于，该合并功函数金属层包含形成在所述多个鳍状结构上的一功函数金属的一侧表面，该侧表面接触该功函数金属层靠在一层间介电层的一垂直壁的一内壁。6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪展羽，王琳松，陈郁仁，黄一珊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71