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提供具有缩小的栅极端宽度的栅极结构的半导体元件结构及其制造方法。在一例子中，半导体元件结构包含数个栅极结构形成在数个鳍状结构上。栅极结构实质上垂直鳍状结构。栅极结构包含具有第一栅极端宽度的第一栅极结构以及具有第二栅极端宽度的第二栅极结构。其...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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