一种绝缘栅底场效应管制造技术

本实用新型专利技术提供一种绝缘栅底场效应管，具有P型硅片衬底（1），在P型硅片衬底（1）中具有两个N+区（2），在位于N+区（2）一边的P型硅片衬底（1）表面设置有上绝缘层（3），两个N+区（2）分别有源极（4）和漏板（5）引出上绝缘层（3）外，其特征在于，在源极（4）与漏极（5）之间的上绝缘层（3）上引出栅极（6），在P型硅片衬底（6）另一面设置有下绝缘层（7），在下绝缘层（7）外表面设置铝箔（8），在铝箔（8）上引出绝缘底（9）。本实用新型专利技术可以实现源极、漏极互换，可以控制交、直流电流，用于音响技术方面，具有电子管较好的高中音效果，也具备晶体管的较好的低音效果，而且还具有比电子管的失真小等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘栅底场效应管
本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种绝缘栅场效应管。
技术介绍
现在的场效应管一般要严格区分正负极加于源极漏极，即只能控制直流电流，不能控制交流电流。但一些解码器需要将控制信号与被控制信号完全分开，而且是用电压控制交流电流，但现有的场效应管不适合上述要求。中国专利公开的“一种沟槽型绝缘栅场效应管”（201110422748.7），包括N型外延层下形成有P型注入层，N型外延层上部形成有沟槽，沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅栅，沟槽两侧形成有P型阱和N型有源区，N型有源区位于P阱上方，其中，N型有源区中形成有圆形镂空结构，层间氧化介质形成于沟槽、圆形镂空结构和N型有源区上方，接触孔下方具有P型注入区，接触孔穿过层间氧化介质将N型有源区和P型注入区连出。该绝缘栅场效应管不能用电压控制，不能解控制信号与被控制信号完全分开。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种绝缘栅场效应管，其是基于现有绝缘栅场效应管的延伸，可以实现源极、漏极互换，可以控制交、直流电流。为实现上述目的，本技术的实施方案为：一种绝缘栅底场效应管，具有P型硅片衬底，在P型硅片衬底中具有两个N+区，在位于N+区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种绝缘栅底场效应管，具有P型硅片衬底（1），在P型硅片衬底（1）中具有两个N+区（2），在位于N+区（2）一边的P型硅片衬底（1）表面设置有上绝缘层（3），两个N+区（2）分别有源极（4）和漏极（5）引出上绝缘层（3）外，其特征在于，在源极（4）与漏极（5）之间的上绝缘层（3）上引出栅极（6），在P型硅片衬底（1）另一面设置有下绝缘层（7），在下绝缘层（7）外表面设置铝箔（8），在铝箔（8）上引出绝缘底（9）。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅底场效应管，具有P型硅片衬底（1），在P型硅片衬底（1）中具有两个N+区（2），在位于N+区（2）一边的P型硅片衬底（1）表面设置有上绝缘层（3），两个N+区（2）分别有源极（4）和漏极（5）引出上绝缘层（3）外，其特征在于，在源极（4）与漏极（5）之间的上绝缘层（3）上引出栅极（6），在P型硅片衬底（1）另一面...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑治龙，覃仕明，
申请(专利权)人：郑治龙，覃仕明，
类型：新型
国别省市：湖南,43