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本实用新型提供一种绝缘栅底场效应管，具有P型硅片衬底（1），在P型硅片衬底（1）中具有两个N+区（2），在位于N+区（2）一边的P型硅片衬底（1）表面设置有上绝缘层（3），两个N+区（2）分别有源极（4）和漏板（5）引出上绝缘层（3）外，其...
该专利属于郑治龙;覃仕明所有，仅供学习研究参考，未经过郑治龙;覃仕明授权不得商用。

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