喷嘴组件、改善材料层厚度均匀性的沉积装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种喷嘴组件、改善材料层厚度均匀性的沉积装置及方法，喷嘴组件用以自衬底的边缘向衬底表面喷射反应气体，以在衬底表面形成材料层，喷嘴组件至少包括第一反应气体喷嘴及第二反应气体喷嘴，其中，第二反应气体喷嘴以衬底的中心为中心、沿衬底的周向相较于第一反应气体喷嘴偏移第一夹角；第一反应气体喷嘴的喷口朝向衬底的中心，第二反应气体喷嘴的喷口的朝向与正对衬底的中心的方向具有第二夹角。本发明专利技术的喷嘴组件通过设置至少两个反应气体喷嘴，并通过设置增设的反应气体喷嘴的位置及喷口朝向，在使用喷嘴组件在衬底表面上沉积材料层时，可以使得沉积的材料层的膜厚具有较好的均匀性。

Nozzle assembly, deposition device and method for improving thickness uniformity of material layer

The invention provides a nozzle assembly, a deposition device and a method for improving the uniformity of material layer thickness. The nozzle assembly is used for spraying reactive gas from the edge of the substrate to the surface of the substrate to form a material layer on the surface of the substrate. The nozzle assembly comprises at least a first reactive gas nozzle and a second reactive gas nozzle, in which the second reactive gas nozzle centers on the center of the substrate and lining along the substrate. The circumferential direction of the bottom deviates from the first angle of the first reacting gas nozzle; the nozzle of the first reacting gas nozzle faces to the center of the substrate, and the nozzle of the second reacting gas nozzle has a second angle to the center of the substrate. By setting at least two reactive gas nozzles and setting the position and orientation of the additional reactive gas nozzles, the nozzle assembly of the present invention can make the film thickness of the deposited material layer have better uniformity when the material layer is deposited on the substrate surface by using the nozzle assembly.

【技术实现步骤摘要】
喷嘴组件、改善材料层厚度均匀性的沉积装置及方法
本专利技术属于半导体制造
，特别是涉及一种喷嘴组件、改善材料层厚度均匀性的沉积装置及方法。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构被广泛地运用于半导体集成电路(IC)的制程布局当中，其中，在MOSFET的结构中必需在栅极结构侧壁上形成一侧壁绝缘层以隔离接触导电层与栅导电层，藉以避免两导体层的短路造成器件(Device)失效。随着动态随机存储器(DRAM)的工艺持续微缩至纳米(nano)等级后，栅极之间的间距以及栅极和接触孔之间的间距也随之缩小，这给半导体制造技术带来了许多挑战。譬如，在现有工艺中，使用ALD(原子沉积)机台沉积形成氮化硅栅极侧壁绝缘层时，是使用一支DCS(二氯硅烷)喷嘴及一支氨气喷嘴同时自晶圆的边缘向晶圆表面喷射DCS气体及氨气，以在晶圆表面形成氮化硅层。但由于DCS喷嘴的数量只有一支，且DCS喷嘴位于晶圆边缘一侧，达到晶圆中心的DCS气体远小于位于晶圆边缘的DCS气体，使得在晶圆表面形成的氮化硅层的厚度不均匀，即位于晶圆边缘的氮化硅层的厚度明显大于位于晶圆中心的氮化硅层的厚度，位于晶圆边缘的氮本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种喷嘴组件，其特征在于，所述喷嘴组件用以自衬底的边缘向所述衬底表面喷射反应气体，以在所述衬底表面形成材料层，所述喷嘴组件至少包括第一反应气体喷嘴及第二反应气体喷嘴，其中，所述第二反应气体喷嘴的设置位置是以所述衬底的中心为中心、沿所述衬底的周向相较于所述第一反应气体喷嘴朝向所述衬底的中心偏移第一夹角；所述第一反应气体喷嘴的喷口朝向所述衬底的中心，所述第二反应气体喷嘴的喷口的朝向与正对所述衬底中心的方向具有第二夹角。

【技术特征摘要】
1.一种喷嘴组件，其特征在于，所述喷嘴组件用以自衬底的边缘向所述衬底表面喷射反应气体，以在所述衬底表面形成材料层，所述喷嘴组件至少包括第一反应气体喷嘴及第二反应气体喷嘴，其中，所述第二反应气体喷嘴的设置位置是以所述衬底的中心为中心、沿所述衬底的周向相较于所述第一反应气体喷嘴朝向所述衬底的中心偏移第一夹角；所述第一反应气体喷嘴的喷口朝向所述衬底的中心，所述第二反应气体喷嘴的喷口的朝向与正对所述衬底中心的方向具有第二夹角。2.根据权利要求1所述的喷嘴组件，其特征在于，还包括至少一第三反应气体喷嘴，其设置位置是以所述衬底的中心为中心、沿所述衬底的周向相较于所述第二反应气体喷嘴或邻近的其它第三反应气体喷嘴向远离所述第一反应气体喷嘴的一侧偏移第一夹角，所述第三反应气体喷嘴的喷口朝向与正对所述衬底中心的方向具有第二夹角。3.根据权利要求1所述的喷嘴组件，其特征在于，还包括氨气喷嘴，所述氨气喷嘴的设置位置是以所述衬底的中心为中心、沿所述衬底的周向相较于所述第一反应气体喷嘴向远离所述第二反应气体喷嘴的一侧偏移第一夹角。4.根据权利要求1所述的喷嘴组件，其特征在于，还包括氨气喷嘴，所述氨气喷嘴以所述衬底的中心为中心设置于所述衬底在所述第一反应气体喷嘴与所述第二反应气体喷嘴的周向之间。5.根据权利要求1所述的喷嘴组件，其特征在于，所述第一反应气体喷嘴与所述第二反应气体喷嘴的喷口均为多个，多个所述喷口沿对应反应气体喷嘴的长度方向间隔排布。6.根据权利要求1至5中任一项所述的喷嘴组件，其特征在于，所述第一夹角的角度为5°～60°；所述第二夹角的角度为5°～30°。7.一种改善材料层厚度均匀性的沉积装置，其特征在于，包括：反应腔室，所述反应腔室内设有基座；所述基座用以放置衬底；及如权利要求1所述的喷嘴组件，位于所述反应腔室内，且位于所述基座外侧。8.根据权利要求7所述的改善材料层厚度均匀性的沉积装置，其特征在于，还包括晶舟，所述晶舟置于所述基座上，所述晶舟内由下至上设置有若干个间隔排布的衬底放置区域，所述衬底位于所述衬底放置区域内。9.一种改...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34