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本实用新型公开了一种场效应晶体管及存储记忆体。所述场效应晶体管包括源极、漏极、沟道区、第一栅极和至少一第二栅极，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述第一栅极设置在沟道区上，且所述第一栅极与沟道区之间设置有介质层，所述至少一个第二栅极与所述沟...
该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。

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