一种晶圆烘烤装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体生产领域，公开了一种晶圆烘烤装置，包括：加热腔室，用于容纳晶圆；加热盘，设置于所述加热腔室的底部，用于加热所述晶圆；封盖，设置于所述加热腔室的顶部，用于封闭所述加热腔室；排气管，连接于所述封盖并与所述加热腔室连通；超声波振荡器，包括设置于所述封盖内侧的多个超声波发生器和多个换能器，所述超声波发生器驱动所述换能器而产生振荡气体。该晶圆烘烤装置通过设置超声波振荡器以产生振荡气体，使得附着在加热腔室上的所有粉末被完全地振落，然后通过排气管将振落的粉末从加热腔室中排出，从而避免了粉末造成晶圆蚀刻的图案异常的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆烘烤装置
本技术涉及半导体器件生产领域，具体地涉及晶圆烘烤装置。
技术介绍
晶圆在烘烤的过程中会产生大量的粉末，这些粉末经常会粘附在加热腔室的内部。当晶圆完成烘烤后，这些粉末很容易在加热腔室打开以及晶圆被移出加热腔室的过程中落在晶圆上。表面有粉末的晶圆在经过蚀刻后会出现图案异常的问题，造成晶圆质量出现缺陷。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术存在的晶圆烘烤过程中表面容易沾染粉末的问题，提供一种晶圆烘烤装置，该晶圆烘烤装置通过设置超声波振荡器以产生振荡气体，使得附着在加热腔室上的所有粉末被完全地振落，然后通过排气管将振落的粉末从加热腔室中排出，从而避免了粉末造成晶圆蚀刻的图案异常的问题。为了实现上述目的，本技术的实施方式提供了一种晶圆烘烤装置，其特征在于，包括：加热腔室，用于容纳晶圆；加热盘，设置于所述加热腔室的底部，用于加热所述晶圆；封盖，设置于所述加热腔室的顶部，用于封闭所述加热腔室；排气管，连接于所述封盖并与所述加热腔室连通；超声波振荡器，包括设置于所述封盖内侧的多个超声波发生器和多个换能器，所述超声波发生器驱动所述换能器而产生振荡气体。优选地，所述超声波发生器和所述换本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆烘烤装置，其特征在于，包括：加热腔室，用于容纳晶圆；加热盘，设置于所述加热腔室的底部，用于加热所述晶圆；封盖，设置于所述加热腔室的顶部，用于封闭所述加热腔室；排气管，连接于所述封盖并与所述加热腔室连通；超声波振荡器，包括设置于所述封盖内侧的多个超声波发生器和多个换能器，所述超声波发生器驱动所述换能器而产生振荡气体。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆烘烤装置，其特征在于，包括：加热腔室，用于容纳晶圆；加热盘，设置于所述加热腔室的底部，用于加热所述晶圆；封盖，设置于所述加热腔室的顶部，用于封闭所述加热腔室；排气管，连接于所述封盖并与所述加热腔室连通；超声波振荡器，包括设置于所述封盖内侧的多个超声波发生器和多个换能器，所述超声波发生器驱动所述换能器而产生振荡气体。2.根据权利要求1所述的晶圆烘烤装置，其特征在于，所述超声波发生器和所述换能器均为环绕设置，两者的中心与所述封盖的中心重合。3.根据权利要求1所述的晶圆烘烤装置，其特征在于，所述换能器的振荡频率范围介于25KHz至5MHz。4.根据权利要求1所述的晶圆烘烤装置，其特征在于，每个所述换能器的直径范围介于5至30mm，长度范围介于5至45mm。5.根据权利要求1所述的晶圆烘烤装置，其特征在于，所述封盖的内侧的边缘设置有多个吹气口，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34