基板处理设备及基板处理方法技术

公开了一种基板处理设备和基板处理方法。根据本发明专利技术构思的实施例，在将喷嘴臂从第一基板支承构件移动到第二基板支承构件的情况下执行吹扫喷嘴的吹扫操作，几乎不影响在将喷嘴臂从第一基板支承构件移动到第二基板支承构件的情况下处理基板的操作。根据本发明专利技术构思的实施例，处理液供应单元执行向基板供应感光液的过程的情况下基板处理设备可执行吹扫感光液喷嘴的操作。因此，因为当基板处理设备执行过程的同时执行吹扫感光液喷嘴的操作，可提高生产率。

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备及基板处理方法相关申请的交叉引用
技术介绍
本文公开的本专利技术构思的实施例涉及基板处理设备及基板处理方法。执行如清洁、沉积、光刻、刻蚀和离子植入的不同过程以制造半导体装置。为形成图案而执行的光刻过程在获得高集成度的半导体装置中起重要作用。通过在基板上涂覆感光液执行光刻过程。在涂覆感光液的过程中，当基板旋转的时候涂覆预设量的感光液。执行吹扫(purge)操作以调整用于涂覆感光液的喷嘴及连接到所述喷嘴的管道的状态。通过排出预设量的感光液执行吹扫操作。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供了可有效处理基板的基板处理设备，以及基板处理方法。本专利技术构思的实施例还提供了一种当基板被处理的情况下可执行吹扫操作的基板处理设备及基板处理方法。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种基板处理设备，其包括：设置为对基板进行支承的第一基板支承构件和第二基板支承构件；多个喷嘴，其设置为将处理液排出至位于所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件的基板；喷嘴臂，其设置为支承所述喷嘴；吹扫口(purgeport)，其设置于所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件之间；驱动构件，其设置为在所述第一基板支本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理设备，其包括：第一基板支承构件和第二基板支承构件，其设置为对基板进行支承；多个喷嘴，其设置为将处理液排出至位于所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件中的基板；喷嘴臂，其设置为支承所述喷嘴；吹扫口，其设置于所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件之间；驱动构件，其设置为在所述第一基板支承构件、所述吹扫口、和所述第二基板支承构件中任意两个之间移动所述喷嘴臂；以及控制器，其设置为控制所述喷嘴臂及所述驱动构件；其中，在所述喷嘴臂从所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件之一排出处理液之后、将所述喷嘴臂移动到所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件中的另一个的过程中，所述控制器...

【技术特征摘要】
2017.07.21 KR 10-2017-00923401.一种基板处理设备，其包括：第一基板支承构件和第二基板支承构件，其设置为对基板进行支承；多个喷嘴，其设置为将处理液排出至位于所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件中的基板；喷嘴臂，其设置为支承所述喷嘴；吹扫口，其设置于所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件之间；驱动构件，其设置为在所述第一基板支承构件、所述吹扫口、和所述第二基板支承构件中任意两个之间移动所述喷嘴臂；以及控制器，其设置为控制所述喷嘴臂及所述驱动构件；其中，在所述喷嘴臂从所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件之一排出处理液之后、将所述喷嘴臂移动到所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件中的另一个的过程中，所述控制器控制所述喷嘴臂及所述驱动构件从而作为所述多个喷嘴之一的吹扫喷嘴通过将处理液排出至所述吹扫口来执行吹扫操作。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述控制器允许所述吹扫喷嘴在将所述喷嘴臂在所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件之间移动的过程中执行预设次数的吹扫操作。3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中在所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件之间移动所述喷嘴臂的过程中连续执行预设次数的吹扫操作。4.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中在所述第一基板支承构件和所述第二基板支承构件之间移动所述喷嘴臂的过程中间歇执行预设次数的吹扫操作。5.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述吹扫口包括设置为清洁所述喷嘴的清洁器，以及其中，所述控制器控制所述清洁器从而在执行预设次数的吹扫操作后所述清洁器清洁所述吹扫喷嘴。6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，如果确认在所述吹扫喷嘴的吹扫操作开始后要在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴斗荣，李俊宰，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR