【技术实现步骤摘要】
晶圆位置矫正装置
本技术涉及半导体设备制造领域，特别涉及一种晶圆位置矫正装置。
技术介绍
在半导体生产过程中，为了在晶圆表面形成多样的图案，刻蚀工艺广泛被应用。在现有技术中，在晶圆刻蚀机台的腔体内对晶圆进行刻蚀，在腔体内设有上电极和下电极，晶圆放置于上电极和下电极之间。当进行刻蚀时，需要将晶圆精准地放置在下电极上进行，从而确保刻蚀形成的图案能够实现相应的电学性能。在边缘刻蚀工艺中，通常需要先将晶圆的中心对准下电极的中心进行放置，再刻蚀晶圆的边缘处。虽然在放置晶圆时传送模组的手臂会调整晶圆的位置，但放置在下电极上时，晶圆其位置可能发生偏移，使晶圆的中心与下电极的中心错开，晶圆落在边缘刻蚀要求的误差范围之外，从而使图案在晶圆上的位置发生偏移，进而使等离子体接触到晶圆上的其他区域而使图案偏移，甚至影响产品性能，导致晶圆的良品率降低。因此，保证晶圆与电极之间的相对位置精确成为了边缘刻蚀工艺中亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种晶圆位置矫正装置，通过设置检测机构和矫正机构并使其协同工作，能够在晶圆放置在下电极后对晶圆与下电极的相对位置进行...
【技术保护点】
1.一种晶圆位置矫正装置，设置在晶圆刻蚀机台的腔体内，在所述腔体内设有上电极和下电极，晶圆放置于所述上电极和所述下电极之间，其特征在于，包括检测机构、矫正机构以及与这两者通信连接的控制机构；所述检测机构对所述晶圆的位置进行检测并将位置信息发送给所述控制机构，所述控制机构基于由所述检测机构检测出的位置信息而控制所述矫正机构的动作，所述矫正机构围绕所述晶圆设置于所述下电极，能够基于所述控制机构的指令而推动所述晶圆，使所述晶圆到达规定位置。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆位置矫正装置，设置在晶圆刻蚀机台的腔体内，在所述腔体内设有上电极和下电极，晶圆放置于所述上电极和所述下电极之间，其特征在于，包括检测机构、矫正机构以及与这两者通信连接的控制机构；所述检测机构对所述晶圆的位置进行检测并将位置信息发送给所述控制机构，所述控制机构基于由所述检测机构检测出的位置信息而控制所述矫正机构的动作，所述矫正机构围绕所述晶圆设置于所述下电极，能够基于所述控制机构的指令而推动所述晶圆，使所述晶圆到达规定位置。2.根据权利要求1所述的晶圆位置矫正装置，其特征在于，所述矫正机构包括驱动单元、矫正杆以及矫正器；所述矫正杆的一端连接于所述驱动单元，另一端连接于所述矫正器；所述矫正器的高度能够和所述晶圆位于同一高度平面内而与所述晶圆抵接；所述驱动单元能够控制所述矫正杆在靠近或远离所述晶圆的方向上运动。3.根据权利要求2所述的晶圆位置矫正装置，其特征在于，所述矫正杆能够在所述驱动单元的控制下进行升降。4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁倪萍，李垚，陈伏宏，刘家桦，叶日铨，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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