鳍式晶体管及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种鳍式晶体管及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有初始第一鳍部，以及覆盖所述初始第一鳍部侧壁的初始隔离层；以所述初始隔离层为掩膜，刻蚀所述初始第一鳍部，在所述初始隔离层内形成第一凹槽；在所述第一凹槽内形成第一鳍部，且所述第一鳍部的材料的导热系数大于所述衬底的材料的导热系数。所述形成方法有效改善隔离层与衬底的之间的热传递，改善晶体管的自热效应，提高半导体器件的电学性能。

Fin Transistor and Its Formation Method

The invention provides a fin transistor and a forming method thereof, which includes: providing a substrate with an initial first fin and an initial isolation layer covering the side wall of the initial first fin; etching the initial first fin with the initial isolation layer as a mask, forming a first groove in the initial isolation layer; and forming a first groove in the first groove. A first fin is formed, and the thermal conductivity of the material at the first fin is greater than that of the material on the substrate. The forming method effectively improves the heat transfer between the isolation layer and the substrate, improves the self-heating effect of the transistor and improves the electrical performance of the semiconductor device.

【技术实现步骤摘要】
鳍式晶体管及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种鳍式晶体管及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，因此随着半导体器件的元件密度和集成度的提高，平面晶体管的栅极尺寸也越来越短，传统的平面晶体管对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应，产生漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。为了克服晶体管的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(FinFET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和介质层，所述介质层覆盖部分所述鳍部的侧壁，且介质层表面低于鳍部顶部；位于介质层表面，以及鳍部的顶部和侧壁表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。然而，随着半导体器件的密度提高，尺寸缩小，鳍式场效应晶体管的制造工艺难度提高，而所形成的鳍式场效应晶体管的性能变差，可靠性下降。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种鳍式晶体管及其形成方法，所形成的鳍式晶体管的自热效应得到解决，而且改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有初始第一鳍部，以及覆盖所述初始第一鳍部侧壁的初始隔离层；以所述初始隔离层为掩膜，刻蚀所述初始第一鳍部，在所述初始隔离层内形成第一凹槽；在所述第一凹槽内形成第一鳍部，且所述第一鳍部的材料的导热系数大于所述衬底的材料的导热系数；回刻蚀所述初始隔离层，形成覆盖所述第一鳍部部分侧壁的隔离层。

【技术特征摘要】
1.一种鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有初始第一鳍部，以及覆盖所述初始第一鳍部侧壁的初始隔离层；以所述初始隔离层为掩膜，刻蚀所述初始第一鳍部，在所述初始隔离层内形成第一凹槽；在所述第一凹槽内形成第一鳍部，且所述第一鳍部的材料的导热系数大于所述衬底的材料的导热系数；回刻蚀所述初始隔离层，形成覆盖所述第一鳍部部分侧壁的隔离层。2.如权利要求1所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部的形成步骤包括：在所述第一凹槽内形成填充材料膜。3.如权利要求2所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述填充材料膜的形成工艺包括外延生长工艺和沉积工艺中的一种或两种组合。4.如权利要求2所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述填充材料膜的材料包括氮化铝、碳化硅或石墨烯。5.如权利要求1所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述衬底上还具有鳍部结构，所述鳍部结构包括至少一个第二鳍部，且所述初始第一鳍部位于所述鳍部结构的一侧或者两侧；所述初始隔离层还覆盖所述第二鳍部的侧壁；在形成第一凹槽之前，还包括：在所述初始隔离层和所述第二鳍部上形成保护层，所述保护层内具有初始凹槽，且所述初始第一鳍部位于所述初始凹槽的底部；以所述初始隔离层和所述保护层为掩膜，刻蚀所述初始第一鳍部，在所述初始隔离层内形成第一凹槽。6.如权利要求5所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述鳍部结构包括若干第二鳍部，且所述初始第一鳍部位于所述鳍部结构至少一侧；所述初始第一鳍部的侧壁到相邻第二鳍部侧壁的距离为第一距离，相邻第二鳍部侧壁之间的距离为第二距离，所述第一距离等于第二距离。7.如权利要求5所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在形成第一凹槽之后，去除所述保护层。8.如权利要求5所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括高分子聚合材料。9.如权利要求8所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述高分子聚合材料包括光刻胶。10.如权利要求5所述的鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述初始第一鳍部的顶部以及所述第二鳍部的顶部还分别具有掩膜结构；所述初始隔离层的形成步骤包括：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31