一种缓变掺杂终端结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种缓变掺杂终端结构及其制造方法，该终端结构包括外延衬底，所述外延衬底内端上部设有主结，所述主结外侧的外延衬底内上部设有场限环，所述主结的外侧与场限环的内侧连接，所述场限环为从内向外的深度由浅变深的连续层状结构，所述外延衬底的上侧设有掩蔽层，所述掩蔽层的上侧设有场板。本发明专利技术结合缓变技术和场版技术，能有效的平衡终端电场分布，提高终端耐压效率，减小终端尺寸，耐压550V的产品，利用该技术的终端尺寸可以减小到80‑88um，耐压650V的产品，利用该技术的终端尺寸可以减小到95‑105um，耐压700V的产品，利用该技术的终端尺寸可以减小到110um‑124um。同时该终端结构可靠性高，工艺简单，稳定性好，并可用于多种高压器件。

【技术实现步骤摘要】
一种缓变掺杂终端结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种缓变掺杂终端结构及其制造方法。
技术介绍
当前高压功率器件普遍采用场限环终端或场限环与场板组合形成终端，由于需要的环个数多而使终端的总长度很长，占用面积多，器件成本高。目前，也有些终端在使用缓变结技术的，如同申请号为201510716907.2提供的半导体器件的横向变掺杂结终端结构及其制造方法，其内部还是一个个独立的耐压环结构，只是简单的调整了耐压环大小和间距，仍不够优化，仍需占用较大的面积，器件成本仍高，且每个耐压环上需要独立场版，工艺复杂。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术存在的不足，提供一种缓变掺杂终端结构及其制造方法。为实现上述目的，在第一方面，本专利技术提供了一种缓变掺杂终端结构，包括外延衬底，所述外延衬底内端上部设有主结，所述主结外侧的外延衬底内上部设有场限环，所述主结的外侧与场限环的内侧连接，所述场限环为从内向外的深度由浅变深的连续层状结构，所述外延衬底的上侧设有掩蔽层，所述掩蔽层的上侧设有场板。作为优选，所述掩蔽层的厚度为至作为优选，所述场板的厚度为至作为优选，所述场限环的最大深度为6至8本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种缓变掺杂终端结构，包括外延衬底，所述外延衬底内端上部设有主结，所述主结外侧的外延衬底内上部设有场限环，其特征在于，所述主结的外侧与场限环的内侧连接，所述场限环为从内向外的深度由浅变深的连续层状结构，所述外延衬底的上侧设有掩蔽层，所述掩蔽层的上侧设有场板。

【技术特征摘要】
1.一种缓变掺杂终端结构，包括外延衬底，所述外延衬底内端上部设有主结，所述主结外侧的外延衬底内上部设有场限环，其特征在于，所述主结的外侧与场限环的内侧连接，所述场限环为从内向外的深度由浅变深的连续层状结构，所述外延衬底的上侧设有掩蔽层，所述掩蔽层的上侧设有场板。2.根据权利要求1所述的缓变掺杂终端结构，其特征在于，所述掩蔽层的厚度为至3.根据权利要求1所述的缓变掺杂终端结构，其特征在于，所述场板的厚度为至4.根据权利要求1所述的缓变掺杂终端结构，其特征在于，所述场限环的最大深度为6至8μm。5.一种缓变掺杂终端结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在外延衬底上生长掩蔽层；在掩蔽层上设置若干开口区，所述开口区从内向外的宽度逐渐增大，且其间隔逐渐减小或不变；从开口区向外延底衬内注入硼元素，以形成若干P型场限环区和位于场限环区内侧的主结区；在掩蔽层的上侧生长场板；经推阱工艺使若干P型场限环区...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡兴正，陈虞平，刘海波，
申请(专利权)人：南京华瑞微集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32