半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，具备：形成于半导体基板的漂移区；以沿着预先设定的延伸方向延伸的方式设置在半导体基板的上表面的栅极沟槽部；分别与栅极沟槽部的一个侧壁及另一个侧壁邻接的第一台面部及第二台面部；以与栅极沟槽部邻接的方式设置在漂移区的上方，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的蓄积区；以与栅极沟槽部邻接的方式设置在蓄积区的上方的基极区；在第一台面部中设置于半导体基板的上表面，与栅极沟槽部的一个侧壁邻接，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的发射极区；在第二台面部设置有第二导电型的浮置区域，所述第二导电型的浮置区域与栅极沟槽部分离，在基极区的下方电浮置。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
以往，已知有一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等半导体装置(例如，参照专利文献1、2、3)。专利文献1：日本特开2007-266133号公报专利文献2：日本特开2008-177297号公报专利文献3：日本特开2016-39215号公报
技术实现思路
技术问题在半导体装置中，希望改善导通损耗等特性。技术方案在本专利技术的第一方式中，提供一种具备形成有第一导电型的漂移区的半导体基板的半导体装置。半导体装置可以具备栅极沟槽部，所述栅极沟槽部从半导体基板的上表面起设置到所述半导体基板的内部，以沿着预先设定的延伸方向延伸的方式设置在上表面。半导体装置可以具备：与栅极沟槽部的一个侧壁邻接的第一台面部；以及与栅极沟槽部的另一个侧壁邻接的第二台面部。半导体装置可以具备第一导电型的蓄积区，所述第一导电型的蓄积区以与栅极沟槽部邻接的方式设置在漂移区的上方，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高。半导体装置可以具备第二导电型的基极区，所述第二导电型的基极区以与栅极沟槽部邻接的方式设置在蓄积区的上方。半导体装置可以具备第一导电型的发射极区，所述第一导电型的发射极区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的漂移区，其形成于半导体基板；栅极沟槽部，其从所述半导体基板的上表面起设置到所述半导体基板的内部，并且以沿着预先设定的延伸方向延伸的方式设置在所述上表面；第一台面部，其与所述栅极沟槽部的一个侧壁邻接；第二台面部，其与所述栅极沟槽部的另一个侧壁邻接；第一导电型的蓄积区，其以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述漂移区的上方，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；第二导电型的基极区，其以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述蓄积区的上方；以及第一导电型的发射极区，其至少在所述第一台面部设置在所述半导体基板的所述上表面，与所述栅极沟槽部的所述一个侧壁邻接，...

【技术特征摘要】
2017.07.18 JP 2017-1394521.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的漂移区，其形成于半导体基板；栅极沟槽部，其从所述半导体基板的上表面起设置到所述半导体基板的内部，并且以沿着预先设定的延伸方向延伸的方式设置在所述上表面；第一台面部，其与所述栅极沟槽部的一个侧壁邻接；第二台面部，其与所述栅极沟槽部的另一个侧壁邻接；第一导电型的蓄积区，其以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述漂移区的上方，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；第二导电型的基极区，其以与所述栅极沟槽部邻接的方式设置在所述蓄积区的上方；以及第一导电型的发射极区，其至少在所述第一台面部设置在所述半导体基板的所述上表面，与所述栅极沟槽部的所述一个侧壁邻接，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；在所述第二台面部设置有第二导电型的浮置区域，所述浮置区域与所述栅极沟槽部分离，在所述基极区的下方电浮置。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二台面部在与所述延伸方向垂直的排列方向上的宽度大于所述第一台面部在所述排列方向上的宽度。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，沿着所述排列方向设置有多个所述浮置区域。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，多个所述浮置区域以与所述第一台面部的所述宽度相同的间隔沿着所述排列方向而设置。5.如权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述浮置区域在所述排列方向上的宽度与所述栅极沟槽部在所述排列方向上的宽度相等。6.如权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一台面部的宽度与所述栅极沟槽部在...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤达也，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP