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本发明提供一种半导体装置，具备：形成于半导体基板的漂移区；以沿着预先设定的延伸方向延伸的方式设置在半导体基板的上表面的栅极沟槽部；分别与栅极沟槽部的一个侧壁及另一个侧壁邻接的第一台面部及第二台面部；以与栅极沟槽部邻接的方式设置在漂移区的上方...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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