本发明提出了一种平面栅极功率器件及其制造方法，该方法包括提供衬底，并在衬底的上侧制作外延层；在外延层上制作形成JFET区；在外延层的上侧生长栅氧化层，并在栅氧化层的上侧沉积多晶硅；对多晶硅注入第一导电类型的元素，并进行推阱操作，然后经刻...

本发明公开了一种高浪涌VDMOS器件结构及其制作方法。该方法包括提供第一导电类型的衬底，并在衬底上制作外延层；通过Ring注入工艺形成设置在终端区的第一Ring结构和设置在元胞位置中部的第二Ring结构；对第二Ring结构及其四周的外延...

本发明公开了一种具有过压保护功能的低压沟槽MOSFET及其制作方法。该方法包括提供衬底，并在衬底上制作外延层；在外延层上刻蚀形成沟槽；在沟槽及外延层的上侧生长栅氧化层，并在栅氧化层的上侧沉积第一导电类型的多晶硅，多晶硅经刻蚀形成设置在外...

本发明公开了一种具有自偏置结构的RC‑IGBT及其制作方法。该方法包括在衬底的上侧制作形成元胞结构和终端结构；从衬底的下侧对器件进行减薄处理，并在衬底的下端依次制作形成N型掺杂区和P型掺杂区；在衬底的下侧刻蚀形成若干第一副沟槽和第二副沟...

本发明公开了一种优化电位分布的SGT器件及其制作方法。该方法包括在场氧化层的上侧淀积第一导电类型的多晶硅，并将多晶硅刻蚀形成第一屏蔽栅和第二屏蔽栅，设置第一屏蔽栅的沟槽与设置第二屏蔽栅的沟槽呈间隔设置，所述第二屏蔽栅的顶端设置在沟槽的中...

本申请公开了一种CVD尾气处理设备，涉及废气处理技术领域，包括降温过滤设备、等温裂解炉和后期综合处理设备；降温过滤设备包括降温模块、油过滤装置和干燥过滤器；所述油过滤装置顶部与降温模块连通，底部与沉积管组件连通；通过对现有技术进行优化改...

本发明公开了一种在晶圆上获取最多晶粒的方法及计算机可读介质。该方法包括以四象限原则把Map分为四个区域，并把每个晶粒视作一个矩形，并根据最大行数MaxY及最大列数MaxX绘制晶粒坐标矩阵M1，把当前晶圆中心坐标及有效晶粒总数记录到有效晶...

本发明公开了一种集成电压采样功能的沟槽型MOSFET及其制造方法。该方法包括在外延层上制作形成设置采样沟槽，在采样沟槽内制作第一导电类型的多晶硅，对采样沟槽内的部分多晶硅的上端注入第二导电类型的元素，在有源区的外延层上制作形成第二导电类...

本发明公开了一种集成SBD结构的SGT MOSFET及其制作方法。该方法包括在外延层上刻蚀形成多个沟槽，所述沟槽包括多个呈间隔设置的第一沟槽，两个相邻的第一沟槽设为一对，每对的两个第一沟槽一侧之间设有第二沟槽；在第一沟槽内制作控制栅多晶...

本发明公开了一种基于两层光罩的沟槽MOSFET及其制造方法。该方法包括在外延层的表面淀积一层二氧化硅层，然后第一步刻蚀形成沟槽的上端部分，第二步刻蚀形成沟槽的下端部分，所述沟槽的上端部分侧壁向外倾斜设置，终端区内的相邻的两个沟槽的下端部...

本发明公开了一种优化高温特性的沟槽器件及其制造方法。该方法包括在第一介质层的上侧及第一连接孔内制作形成第一金属层，第一金属层经刻蚀形成与N阱连接的第一极板，并在第二介质层上刻蚀形成第二连接孔；在第二介质层的上侧及第二连接孔内制作形成第二...

本发明公开了一种提高栅极驱动能力的器件及其制作方法。该方法包括在衬底上侧制作外延层；在外延层内制作形成多个P型的Ring区；在外延层的上侧生长场氧层并刻蚀；在无场氧层覆盖的外延层上侧生长栅氧化层，并在栅氧化层的上侧沉积P型元素掺杂的多晶...

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法、高精度过温保护电路。该方法包括在衬底的上侧制作外延层；通过Ring注入操作和Ring推阱操作将外延层划分出终端区、主MOS元胞区、二极管区以及设置在主MOS元胞区与二极管区之间的隔离区；对未被多晶...

本发明公开了一种通过多晶硅条提高可靠性的MOS器件及其制造方法。该方法包括在有源区内的外延层上侧长栅氧化层，并在所述栅氧化层和场氧层的上侧沉积多晶硅，采用第二导电类型的杂质对所述多晶硅进行掺杂，然后对掺杂后的多晶硅进行刻蚀操作，以形成设...

本发明公开了一种提高BV稳定性的SGT终端结构及其制备方法。该方法包括在所述栅氧化层的上侧淀积形成第二导电类型的多晶硅，然后对所述多晶硅进行刻蚀操作，对所述体区内以及栅氧化层上侧经过刻蚀保留的多晶硅的内端部执行第一导电类型元素注入和退火...

本发明公开了一种解决电阻非线性的智能功率MOS管的制造方法。该方法包括在体区的上侧制作源区注入所需的第一光刻胶层，然后依次进行第一导电类型的元素注入和推阱操作，以在体区内制作形成第一导电类型的源区，同时对主MOS管多晶硅栅、启动MOS管...

本发明公开了一种超结和SGT新型复合MOSFET及其制造方法。该方法包括在所述衬底的上侧制作外延层，所述外延层包括依次设置在衬底上侧的第一外延层和第二外延层，所述第一外延层的掺杂浓度大于第二外延层的掺杂浓度；在所述外延层上刻蚀形成若干第...

本发明公开了一种集成鳍式SBD结构的沟槽栅MOSFET及其制造方法。该方法包括在外延层的上侧刻蚀形成外露于外延层上侧的SBD接触台，在SBD接触台两侧的外延层上侧淀积形成介质层，并在介质层上刻蚀形成金属淀积区；在第一阱区和第二阱区的上侧...

本发明公开了一种优化电场特性的分裂栅沟槽MOS及其制造方法。该方法包括在衬底的上侧制作外延层，具体如下：在所述衬底的上侧生长掺杂浓度为N3的第一外延层；调整掺杂源的浓度使掺杂浓度线性增加，并在第一外延层的上侧生长掺杂浓度从N3至N2线性...

本发明公开了一种抗电磁干扰超结MOS器件及其制造方法。该方法包括在有源区内的外延层的上侧长栅氧化层，并在栅氧化层和场氧层的上侧沉积多晶硅，对所述多晶硅掺入第二导电类型的杂质，然后对掺杂后的多晶硅进行刻蚀操作，以形成设置在栅氧化层上侧的多...