一种解决电阻非线性的智能功率MOS管的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种解决电阻非线性的智能功率MOS管的制造方法。该方法包括在体区的上侧制作源区注入所需的第一光刻胶层，然后依次进行第一导电类型的元素注入和推阱操作，以在体区内制作形成第一导电类型的源区，同时对主MOS管多晶硅栅、启动MOS管多晶硅栅和电阻R

【技术实现步骤摘要】
一种解决电阻非线性的智能功率MOS管的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种解决电阻非线性的智能功率MOS管的制造方法。

技术介绍

[0002]在图1所示器件中，是在Power MOS管中集成了一个Driver MOS管，并且Driver MOS管的G2、S2均为独立结构，且G2端与Drain端通过电阻R
DG2
相连，阻值在8MΩ
‑
50MΩ。这种结构可以降低电源电路中启动的损耗和待机功耗，提高能源转换效率。同时集成Driver MOS管和电阻R
DG2
的工艺和普通智能功率MOS管工艺完全兼容，可以降低芯片生产成本。
[0003]但是在这种集成启动器件（Driver MOS管）的MOS管产品，在实际应用中，如小家电类产品的应用中，R
DG2
存在非线性的问题，即小电压下，R
DG2
非常大，达到上千MΩ的水平，如图2所示；R
DG2
过大导致Driver MOS管无法启动，器件不能工作，并最终导致终端应产品无法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种解决电阻非线性的智能功率MOS管的制造方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上制作形成外延层；在所述外延层上制作第二导电类型的耐压环区，以形成主MOS管有源区、启动MOS管区、电阻及耐压环区以及所述主MOS管有源区与启动MOS管区之间的隔离区；在所述外延层的上侧生长场氧层，并将所述主MOS管有源区和启动MOS管区有源区内的场氧层刻蚀掉；对所述有源区依次执行JFET注入和推阱操作；在所述外延层及场氧层的上侧生长栅氧化层，并在所述栅氧化层的上侧沉积多晶硅，并对所述多晶硅注入第二导电类型的元素，然后对所述多晶硅进行刻蚀操作，以形成主MOS管多晶硅栅、启动MOS管多晶硅栅和电阻R
DG2
a，所述电阻R
DG2
a的内端与启动MOS管多晶硅栅的外端连接；对没有多晶硅和场氧层覆盖的外延层注入第二导电类型的元素，以分别形成主MOS管有源区和启动MOS管的体区；在所述体区的上侧制作源区注入所需的第一光刻胶层，然后依次进行第一导电类型的元素注入和推阱操作，以在所述体区内制作形成第一导电类型的源区，同时对所述主MOS管多晶硅栅、启动MOS管多晶硅栅和电阻R
DG2
a进行掺杂，使得所述主MOS管多晶硅栅、启动MOS管多晶硅栅和电阻R
DG2
a变为第一导电类型掺杂，然后将第一光刻胶层去除；在器件的上表面涂抹形成第二光刻胶层，并在体区中部上...

【专利技术属性】
技术研发人员：何军，胡兴正，薛璐，刘海波，
申请(专利权)人：南京华瑞微集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：