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本发明公开了一种解决电阻非线性的智能功率MOS管的制造方法。该方法包括在体区的上侧制作源区注入所需的第一光刻胶层，然后依次进行第一导电类型的元素注入和推阱操作，以在体区内制作形成第一导电类型的源区，同时对主MOS管多晶硅栅、启动MOS管多晶...
该专利属于南京华瑞微集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京华瑞微集成电路有限公司授权不得商用。

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