半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成掩膜层；在掩膜层的侧壁形成补偿侧墙；以掩膜层和补偿侧墙为掩膜，刻蚀基底，形成衬底以及凸出于衬底的鳍部；去除补偿侧墙；去除补偿侧墙后，在鳍部露出的衬底上形成覆盖鳍部部分侧壁的隔离层。本发明专利技术在形成鳍部后，去除补偿侧墙，随后形成隔离层，形成隔离层的制程包括在鳍部之间填充隔离材料层的步骤，通过去除补偿侧墙，使得由掩膜层、鳍部和衬底所围成的开口的顶部开口尺寸较大，因此，在沉积隔离材料层的过程中，易于使隔离材料层填充于开口的底部，降低了隔离材料层在鳍部顶部位置处发生堆积的概率，从而减小隔离材料层对鳍部的挤压力，进而改善鳍部弯曲的问题，使得半导体结构的性能得以提高。使得半导体结构的性能得以提高。使得半导体结构的性能得以提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小。为了适应特征尺寸的减小，MOSFET的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthreshold leakage)现象，即所谓的短沟道效应(short-channel effects，SCE)更容易发生。
[0003]因此，为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面MOSFET相比，栅极结构对沟道的控制能力更强，能够很好的抑制短沟道效应；且FinFET相对于其他器件，与现有集成电路制造具有更好的兼容性。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成掩膜层；在所述掩膜层的侧壁形成补偿侧墙；以所述掩膜层和补偿侧墙为掩膜，刻蚀所述基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；去除所述补偿侧墙；去除所述补偿侧墙后，在所述鳍部露出的衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀工艺去除所述补偿侧墙。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述补偿侧墙和鳍部之间的刻蚀选择比大于5:1。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述补偿侧墙的步骤包括：形成保形覆盖所述掩膜层和基底的侧墙材料层；去除位于所述掩膜层顶部以及基底上的所述侧墙材料层，保留所述掩膜层侧壁的剩余侧墙材料层作为补偿侧墙。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙材料层的工艺包括原子层沉积工艺、炉管工艺或化学气相沉积工艺。6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向异性的刻蚀工艺进行刻蚀，去除位于所述掩膜层顶部以及基底上的所述侧墙材料层。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向异性的刻蚀工艺的纵向刻蚀速率和横向刻蚀速率的比值大于5:1。8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述掩膜层顶部以及基底上的所述侧墙材料层的步骤中，所述侧墙材料层和所述掩膜层之间的刻蚀选择比大于3:1。9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述补偿侧墙和所述掩膜层之间的刻蚀选择比大于3:1。10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑二虎，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：