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本发明公开了一种缓变掺杂终端结构及其制造方法，该终端结构包括外延衬底，所述外延衬底内端上部设有主结，所述主结外侧的外延衬底内上部设有场限环，所述主结的外侧与场限环的内侧连接，所述场限环为从内向外的深度由浅变深的连续层状结构，所述外延衬底的上...
该专利属于南京华瑞微集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京华瑞微集成电路有限公司授权不得商用。

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