沟槽形成方法、背照式图像传感器及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种沟槽形成方法、背照式图像传感器及其制作方法。沟槽形成方法中利用刻蚀时的负载效应，通过一张光罩、一次刻蚀工艺在衬底上同时形成第一沟槽和第二沟槽，简化了沟槽制作工艺，降低了成本。背照式图像传感器制作方法中通过在衬底背面同时形成第一沟槽和第二沟槽，简化了背照式图像传感器中的制作沟槽工艺，降低了成本，同时既通过第一沟槽提高了量子效率又通过第二沟槽改善了电学串扰。

【技术实现步骤摘要】
沟槽形成方法、背照式图像传感器及其制作方法
本专利技术属于半导体领域，具体涉及一种沟槽形成方法、背照式图像传感器及其制作方法。
技术介绍
在半导体工艺中，经常需要在衬底上形成深度不一致的沟槽，通常，这些深度不一致的沟槽需要采用多道光罩进行曝光，并通过多次刻蚀工艺形成，每次刻蚀只能形成深度相同的沟槽。该种方式工艺较为复杂，成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，简化工艺，降低成本。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种沟槽形成方法，包括：提供一光罩，所述光罩上形成有第一沟槽图形和第二沟槽图形；提供一衬底，在所述衬底上形成光阻层；采用所述光罩，进行曝光及显影工艺，形成图形化的光阻层；以及，以所述图形化的光阻层为掩膜，通过一次刻蚀工艺在所述衬底上形成多个第一沟槽和至少一个第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽形状相同且规则排列，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度；在垂直于所述衬底表面的截面上，所述第二沟槽的截面宽度大于所述第一沟槽的截面宽度，和/或，所述第一沟槽的图形密度大于所述第二沟槽的图形密度。进一步的，所述第一沟槽和第二沟槽垂直于所述衬底表面的截面形状为矩形、倒三角形或倒梯形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽形成方法，其特征在于，包括：提供一光罩，所述光罩上形成有第一沟槽图形和第二沟槽图形；提供一衬底，在所述衬底上形成光阻层；采用所述光罩，进行曝光及显影工艺，形成图形化的光阻层；以及，以所述图形化的光阻层为掩膜，通过一次刻蚀工艺在所述衬底上形成多个第一沟槽和至少一个第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽形状相同且规则排列，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度；在垂直于所述衬底表面的截面上，所述第二沟槽的截面宽度大于所述第一沟槽的截面宽度，和/或，所述第一沟槽的图形密度大于所述第二沟槽的图形密度。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽形成方法，其特征在于，包括：提供一光罩，所述光罩上形成有第一沟槽图形和第二沟槽图形；提供一衬底，在所述衬底上形成光阻层；采用所述光罩，进行曝光及显影工艺，形成图形化的光阻层；以及，以所述图形化的光阻层为掩膜，通过一次刻蚀工艺在所述衬底上形成多个第一沟槽和至少一个第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽形状相同且规则排列，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度；在垂直于所述衬底表面的截面上，所述第二沟槽的截面宽度大于所述第一沟槽的截面宽度，和/或，所述第一沟槽的图形密度大于所述第二沟槽的图形密度。2.如权利要求1所述的沟槽形成方法，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽垂直于所述衬底表面的截面形状为矩形、倒三角形或倒梯形。3.如权利要求1所述的沟槽形成方法，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽平行于所述衬底表面的截面形状为矩形。4.如权利要求1所述的沟槽形成方法，其特征在于，所述衬底是硅衬底，所述刻蚀是干法刻蚀，采用CF4、C4F8和SF6的混合气体。5.一种背照式图像传感器制作方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1至4中任一项所述的沟槽形成方法在衬底背面形成第一沟槽和第二沟槽；所述衬底上形成有若干像素单元区域，所述第一沟槽位于所述像素单元区域中，所述第二沟槽位于相邻的像素单元区域之间。6.如权利要求5所述的背照式图像传感器制作方法，其特征在于，每个像素...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵长林，胡胜，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42