多层陶瓷电容器及其制造方法技术

本申请提供一种多层陶瓷电容器，其包括：多层结构，其中多个电介质层中的每一个与多个内部电极层中的每一个交替地堆叠，多个内部电极层交替地暴露于多层结构的第一边缘面和第二边缘面；和覆盖层，其至少设置在多层结构的上表面和下表面上，覆盖层的主要成分与电介质层的主要成分相同，其中：覆盖层、端部边缘区域和侧部边缘区域中的至少一者的供体元素相对于主要成分陶瓷的浓度低于多层结构中电介质层的供体元素相对于主要成分陶瓷的浓度。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电容器及其制造方法
本专利技术的某方面涉及多层陶瓷电容器及其制造方法。
技术介绍
近来，电子设备比如智能电话或移动电话正在小型化。由此，安装在电子设备上的电子元件正在迅速小型化。例如，在由多层陶瓷电容器代表的芯片型多层陶瓷电子元件领域中，尽管性能得以保证，但为了减小芯片尺寸，电介质层和内部电极层的厚度减小。当电介质层的厚度减小时，施加到每个电介质层的电压增加。在这种情况下，电介质层的寿命可能缩短。并且，多层陶瓷电容器的可靠性可能降低。因此，存在公开的技术，其中将供体元素如Mo(钼)、Nb(铌)、Ta(钽)或W(钨)添加到电介质层中(例如，参见日本专利申请公开第2016-127120号、第2016-139720号、第2017-028224号和第2017-028225号)。
技术实现思路
然而，当供体元素的浓度在端部边缘区域、侧部边缘区域和覆盖层中的至少一者中较高时，由于烧结延迟或芯片表面的异常晶粒生长，可能发生结构缺陷。因此，多层陶瓷电容器的可靠性可能降低。本专利技术的目的是提供一种能够改善可靠性的多层陶瓷电容器以及该多层陶瓷电容器的制造方法。根据本专利技术的一方面，提供一种多层陶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层陶瓷电容器，其包括：多层结构，其中多个电介质层中的每一个与多个内部电极层中的每一个交替地堆叠，所述电介质层的主要成分是陶瓷，所述多层结构具有长方体形状，所述多个内部电极层交替地暴露于所述多层结构的第一边缘面和第二边缘面，所述第一边缘面与所述第二边缘面相对；和覆盖层，其至少设置在所述多层结构的堆叠方向上的所述多层结构的上表面和下表面上，所述覆盖层的主要成分与所述电介质层的主要成分相同，其中：所述覆盖层、端部边缘区域和侧部边缘区域中的至少一者的供体元素相对于主要成分陶瓷的浓度低于所述多层结构中所述电介质层的供体元素相对于主要成分陶瓷的浓度；所述端部边缘区域是其中与所述多层结构的第一边缘...

【技术特征摘要】
2017.07.19 JP 2017-140309;2017.07.19 JP 2017-140311.一种多层陶瓷电容器，其包括：多层结构，其中多个电介质层中的每一个与多个内部电极层中的每一个交替地堆叠，所述电介质层的主要成分是陶瓷，所述多层结构具有长方体形状，所述多个内部电极层交替地暴露于所述多层结构的第一边缘面和第二边缘面，所述第一边缘面与所述第二边缘面相对；和覆盖层，其至少设置在所述多层结构的堆叠方向上的所述多层结构的上表面和下表面上，所述覆盖层的主要成分与所述电介质层的主要成分相同，其中：所述覆盖层、端部边缘区域和侧部边缘区域中的至少一者的供体元素相对于主要成分陶瓷的浓度低于所述多层结构中所述电介质层的供体元素相对于主要成分陶瓷的浓度；所述端部边缘区域是其中与所述多层结构的第一边缘面连接的内部电极层彼此相对而不夹着与所述多层结构的第二边缘面连接的内部电极层的区域和其中与所述多层结构的第二边缘面连接的内部电极层彼此相对而不夹着与所述多层结构的第一边缘面连接的内部电极层的另一区域；并且所述侧部边缘区域覆盖所述多个内部电极层向所述第一边缘面和所述第二边缘面以外的两个侧面延伸的边缘部分。2.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中所述端部边缘区域和所述侧部边缘区域的主要成分陶瓷以及所述多层结构的所述电介质层的主要成分陶瓷是钛酸钡。3.如权利要求1或2所述的多层陶瓷电容器，其中所述覆盖层的主要成分陶瓷和所述电介质层的主要成分陶瓷是钛酸钡。4.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：千辉纪之，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP